シリコン製SPDTスイッチ「HMC1118LP3DE」を発表
厳しい要件が求められる試験測定アプリケーション向けに高速セトリング時間特性を提供
2015年05月21日 - 東京アナログ・デバイセズ社(NASDAQ:ADI)は、本日、9kHzから13GHz周波数帯向け動作仕様のシリコン製SPDT(単極双投)スイッチ「HMC1118LP3DE」を発表しました。この新しいSPDTスイッチは、8GHz動作で48dBという高いアイソレーションと0.6dBという低い挿入損失が特長です。HMC1118LP3DEは、アナログ・デバイセズの RFおよびマイクロ波コントロール製品ポートフォリオの第一弾となる製品です。シリコン・プロセス技術固有の優位性を発揮することにより、従来のGaAs(ガリウム砒素)RFスイッチを上回る様々な利点を提供します。例えば、GaAsよりも100倍高速なセトリング・タイムや、堅牢なESD(静電放電)保護性能(GaAsの250Vに対し2000V)、高信頼性を保ちながらスイッチの周波数範囲をGaAsの1000分の1という周波数まで拡張可能といったことが挙げられます。
HMC1118LP3DEは、スルーモードで4W、ホットスイッチング動作モードで0.5Wという、業界をリードするRFパワー・ハンドリング能力を提供します。類似のRF帯域幅の競合製品と比較して2倍以上も優れたホットスイッチング・パワー・ハンドリング能力により、技術者は部品損傷のリスクを冒すことなく、アプリケーションおよびシステムの許容RFパワーを上げることができます。HMC1118LP3DEは、最高13GHzまでの動作周波数範囲内において、高いアイソレーションと極めてフラットな伝送特性向けに最適化されており、かつ最低9kHzまで高い信号忠実度を保ちます。HMC1118LP3DEは、これらの特長の組合せにより従来のGaAsスイッチに代るローコスト版として、要件の厳しい試験測定、自動テスト装置、防衛用電子機器、およびワイヤレス通信アプリケーション向けに適しています。
HMC1118LP3DE SPDTスイッチの特長:
- 反射なしの50オーム設計
- 正電圧制御:0/+3.3V
- 低挿入損失:0.68dB @ 8GHz
- 高アイソレーション:50dB @ 8GHz
- 低カットオフ周波数:9 kHz
- 高速セトリング・タイム:最終RF出力レベル0.05dBまで7.5μ秒
- 業界をリードする高いパワー・ハンドリング能力:
- スルー・パス時:35.5dBm
- 終端パスおよびホットスイッチングの場合:27dBm
- 高い直線性:
- P1dB:+37dBm typ
- IIP3:+61dBm typ
- ESD定格:2kV HBM
価格と供給について
下記表中の価格は、米国での販売価格です。製品 パッケージ
1,000個受注時
の単価
HMC1118LP3DE 3mm × 3mm
QFN SMT
6.18ドル
- アナログ・デバイセズについて
- アナログ・デバイセズは、半導体製品とソリューションを提供しています。
1965年に設立され、世界をリードする信号処理技術で「アナログとデジタル」「夢と現実」との懸け橋を担ってきました。
50周年という節目を迎え、「想像を超える可能性を」という新たなスローガンを掲げ、イノベーションを加速し、ブレークスルーを生むソリューションをお客様と共に切り拓いていきます。http://www.analog.com/jp -
Editor's Contact Information
-
Beth Schlesinger
Beth.Schlesinger@analog.com
-
Beth Schlesinger