AN-2503: 采用 AD5522 PMU 和 AD7685 16 位 ADC 的 ATE 应用四通道参数测量单元
参数测量单元及支持器件
电路描述
四通道 PMU AD5522 可为 DUT 提供驱动和测量功能,但 PMU 外部需要进行数字化处理。这可以通过下述方法实现:
- 每个 PMU 通道均有一个专用的 ADC,从而可提供最快的吞吐速率和结果。
- 多个通道可共用一个 ADC。图 1 中,四个 PMU通道共用一个 ADC AD7685。在一些应用中,可能有更多通道共用一个 ADC,例如 8 个或16 个 PMU 通道。
利用各 MEASOUTx 引脚的内部禁用功能,可以实 现多个通道共用一个 ADC。这要求对 PMU 寄存器 执行写入命令,以使能/禁用相应的开关。如果选 择这种方法,则应注意,一次只能选择一个 MEASOUTx 通道。
或者,可利用外部 4:1 多路复用器来控制测量通道 选择。以这种方式,可以使能所有四个 MEASOUTx 路径,由多路复用器选择测量通道。类似地,采用 8:1 或 16:1 多路复用器,可实现更多测量路径共享 一个 ADC。多路复用器的选择将取决于所用的 ADC 及其输入电压范围。对于双极输入 ADC, ADG1404/ADG1204系列器件将是理想之选;若采 用单电源,则ADG706 和 ADG708 更合适。除开关阻抗外,MEASOUTx 路径的输出阻抗通常为 60 Ω。 因此,应考虑使用 ADA4898-1 等 ADC 缓冲器来驱动 ADC(图中未显示缓冲器)。
16 位、250 kSPS ADC AD7685 能够处理 MEASOUTx 路径的 0 V 至 4.5 V 输出范围,所以适合本应用。此外,如果希望升级,速度更快但尺寸相同的其他ADC(例如 16 位、500 kSPS AD7686)也是颇具吸引力的选择。
如果需要 20 V 输出范围,则 AD5522 要求使用一个5 V 基准电压源。选择 5 V XFET 基准电压源 ADR435的原因在于,它具有低温漂(A 级为 10 ppm/°C;B级为 3 ppm/°C)、低噪声(8 μV 峰峰值,0.1 Hz 至10 Hz)以及能够驱动多个 PMU 通道(30 mA 拉电流,20 mA 灌电流)的特性。
一些应用要求PMU能够驱动各种大小的DUT电容,尤其在 PMU 与电源引脚相连,或者 PMU 用作器件电源,且存在 DUT 的去耦/旁路电容的应用中。这种情况下,将一个外部开关而不是固定电容与CCOMP 引脚相连,可使附加 CCOMP 电容得以接通或断开,从而优化各种容性负载条件下的建立时间和稳定性。本电路所选的开关为四通道 SPST 开关 ADG412 ,其导通电阻小于 50 Ω。由于大多数多路复用器一次只允许接通多个通道中的一个通道,所以才选用四通道 SPST 开关,而不是多路复用器。利用四通道开关,各漏极可以连在一起,源极则可以与各补偿电容相连,从而提供 24 - 1 种可能的CCOMP 组合。
同样,本电路采用差分多路复用器 ADG1209,以适应与 CFFx 引脚相连、容值范围更宽的前馈电容,从而使 AD5522 能够驱动更宽范围的 DUT 电容。所用多路复用器的串联电阻应使得 1/(2π × RON × CDUT) > 100 kHz。本例中,ADG1209 用于切换AD5522 的两个通道。
开关和电容会承受与 AD5522 FOH 引脚的电压范围相同的电压偏移。因此,开关和电容的额定电压应考虑这一点。CFF 电容可以具有 10%或以下的公差,这一额外变量会直接影响建立时间,特别是在低电流的测量电流模式下。所选的 CCOMP 电容公差应不大于 5%。表 1 列出了不同负载电容下补偿电容 CCOMP 和 CFF 的建议标称值。
CLOAD | CCOMP | CFF |
≤1 nF | 100 pF | 220 pF |
≤10 nF | 100 pF | 1 nF |
≤100 nF | CLOAD/100 | CLOAD/10 |
本电路必须构建在具有较大面积接地层的多层电路板上。为实现最佳性能,必须采用适当的布局、接地和去耦技术(请参考 指南 MT-031—“实现数据转换器的接地并解开 AGND 和 DGND 的谜团”及 指南 MT-101—“去耦技术”)。请注意,图 1为原理示意图,并未显示所有必需的去耦。
精心考虑电源和接地回路布局有助于确保达到额定性能。安装 AD5522 所用的印刷电路板(PCB)应采用模拟部分与数字部分分离设计,并限制在电路板的一定区域内。如果 AD5522 所在的系统中有多个器件需要 AGND 至 DGND 的连接,则应只在一个点进行连接。星形接地点尽可能靠近该器件。
对于具有多个引脚(AVSS 和 AVDD)的电源,建议将这些引脚连在一起,并且每个电源仅去耦一次。
AD5522 应具有足够大的 10 µF 电源去耦电容,与每个电源上的 0.1 µF 电容并联,并且尽可能靠近封装,最好是正对着该器件。10 μF 电容应为钽珠型电容。0.1μF 电容器应具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESI)——高频时提供低阻抗接地路径的普通陶瓷型电容的典型情况——以便处理内部逻辑开关所引起的瞬态电流。
应避免在该器件下方布设数字线路,否则会将噪声耦合至该器件。不过,可以将模拟接地层放在AD5522 下方,以避免噪声耦合(此做法仅适用于焊盘朝上的封装)。AD5522 的电源线路应采用尽可能宽的走线,以提供低阻抗路径,并减小电源线路上的毛刺效应。快速开关数字信号应利用数字地屏蔽起来,以免向电路板上的其他器件辐射噪声,并且绝不应靠近基准输入。必须将所有 VREF线路上的噪声降至最低。
避免数字信号与模拟信号交叠。电路板相反两侧上的走线应彼此垂直,以减小电路板的馈通效应。像所有薄型封装一样,必须避免弯曲封装,并且在组装过程中必须避免封装表面上出现点负载。
另外请注意,AD5522 的裸露焊盘与负电源 AVSS 相连。
常见变化
PMU 电路并非始终需使用 AD5522 的 20 V 完整输出范围,许多应用只需要其中的一部分。例如,用户使用 2.5 V 基准电压源 ADR421 可以实现±5.6 V的标称输出电压范围,利用片内 OFFSET DAC 可进一步调整该范围,以适应 DUT 要求。(详情请参见 AD7719 数据手册。)另外,能够使用较低供电轨也是额外的优势,特别是以每通道 80 mA 满电流范围工作时,这有助于降低 AD5522 的功耗。
按 ADC 通道划分 PMU 测量通道有多种方式,多个PMU 通道也可以共用一个 ADC 通道(有时以 8:1或 16:1 的比率)。
另外,也可以使用片内 MEASOUT 禁用功能或模拟多路复用器来实现。多路复用器会增加测量路径的串联电阻;因此,ADC 输入端之前可能需要缓冲。
其他变化包括使用能够处理双极性信号范围的ADC,或者采样速率更快的 ADC。