ADR439
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ADR439

超低噪声、4.5V XFET®基准电压源,具有吸电流和源电流能力

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产品详情
特性
  • 低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz):
    3.5 µV p-p(2.5 V输出)
  • 无需外部电容
  • 低温度系数
    A 级: 10 ppm/°C (最大值)
    B 级: 3 ppm/°C (最大值)
  • 负载调整率:15 ppm/mA
  • 线性调整率:20 ppm/V
  • 宽工作电压范围:
    ADR430: 4.1 V 至 18 V
    ADR431: 4.5 V 至18 V
    ADR433: 5.0 V 至 18 V
    ADR434: 6.1 V 至 18 V
    ADR435: 7.0 V 至 18 V
    ADR439: 6.5 V 至18 V
  • 高输出源电流和吸电流:
    +30 mA和−20 mA
  • 宽温度范围:−40°C至+125°C

更多细节
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ADR43x是XFET系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至低点。                                          

与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR43x系列的源电流输出高达30 mA,最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。

ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

应用

  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率数据转换器
  • 医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 光学控制电路
  • 精密仪器
  • 提示:
    技术文章: 高性能心电图(ECG)信号调理

    产品技术资料帮助

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    参考电路

    参考电路 1

    采用PGA的过采样SAR ADC,可实现125 dB以上的动态范围

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