EMモデル
遷移ベースの電磁界（EM）モデル、EM-PlugでRF設計に革命を起こす
今日の高周波RF ICの性能において、チップからPCBへの移行は不可欠です。ランディング・パターン、パッド寄生、トレース形状、アセンブリの選択／バリエーションはすべて、最終的な性能に影響します。従来のSパラメータ・モデルのアプローチでは、基準面がチップ境界または50Ωトレースに配置されるため、遷移領域が基準面の内側に残され、代替のスタックアップおよび遷移オプションのシミュレーションができません。適切な遷移の見落としは、リターン・ロスの悪化、信号の完全性の問題、基板やレイアウトの変更に伴う複数のPCB再設計につながります。
アナログ・デバイセズの新しいEM-Plugアプローチは、パッケージ遷移領域の3Dモデルを提供することで、これらの制限を克服します。これらの軽量でモジュール化されたプラグは、コアチップのSパラメータとともにあらゆるEMソルバーに集積され、統合された完全なシミュレーションを実現します。非常に高い計算能力を必要とし、何時間も実行される完全なEMモデルとは異なり、EM-Plugは、精度を損なうことなく、数分でシミュレーションを行うことができます。
遷移ベースのEM-Plugツールにより、ユーザーは、ランディング・パターンの形状、基板の厚さと誘電率、RFトレース・タイプ（コプレーナ、マイクロストリップ、ストリップライン）、半田ペーストとマスクのプロファイル、チップ配置またはボンディングワイヤの選択など、あらゆる重要な変数を変更し、キャプチャすることができます。
エンジニアは、Sパラメータやフルチップ暗号化モデルの限界を超える精度を維持しながら、EMスイープや最適化、遷移の調整、製造やアセンブリの許容誤差の影響の評価を迅速に行うことができます。
EM-Plugは、実際の遷移形状をシミュレーション・フローに組み込むことで、Sパラメータ法の盲点をなくします。高周波RF設計の信頼性を高めるには、理論的なガイドラインと現実の課題とのギャップを埋め、設計サイクルの高速化、PCBの繰り返し回数の削減、コストの削減も実現する必要があります。
一般的なRF ICパッケージ（LFCSP、LGA、チップ＆ワイヤー、フリップチップSMT）はすべて、ツール・ロックインなしでサポートされています。
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