DS3660
製造中DeepCoverセキュリティマネージャ、低電圧動作用、1KBセキュアメモリおよびプログラマブルタンパーヒエラルキ内蔵
低電力で2レベルのタンパー検出ヒエラルキを提供する高度物理セキュリティ
- 製品モデル
 - 2
 - 1Ku当たりの価格
 - 価格は未定
 
製品情報
- メモリ
- 高速消去が可能な非インプリンティングの1024バイトメモリ
 - 64バイトの汎用RAM (非消去)
 - 外付けSRAM制御、オプショナルのタンパーイベントの消去
 - プログラマブルタンパーイベントソースによるセグメント化タンパー検出メモリ階層
 
 - タンパー
- ROC検出器を備え設定可能な温度検出回路内蔵
 - 2つの汎用タンパー検出ロジック入力
 - 4つの汎用タンパー検出コンパレータ入力
 - リファレンス電圧内蔵の4つのウィンドウコンパレータ
 - タンパーイベントのラッチおよびタイムスタンプ
 - 水晶発振器タンパー監視
 
 - その他
- 低電圧ホストマイクロプロセッサインタフェース
 - 超低スタンバイ電流に対応した設定可能な消費電力オプション
 - 64ビットの固有シリコンシリアルナンバー
 - 乱数発生器(RNG)内蔵
 - ウォッチドッグタイマおよびアラーム出力内蔵、32ビット秒カウンタ
 - CPU監視回路
 - I²C対応インタフェース
 
 
DS3660の主な機能の1つは、高速ダイレクトワイヤードクリア機能を備えた8つの128バイトバンクで構成される非インプリンティングの内蔵メモリです。この1KBメモリは、バックグラウンドで常に補完され、メモリがデータに痕跡を残すのを防止します。DS3660のアーキテクチャによって、ユーザーは、指定したタンパーイベントに基づくメモリバンクを選択的に消去することができます。限定されたタンパーイベントが発生した際に、希望するメモリバンクが即座に消去され、負バイアスを印加し外部メモリも消去します。
DS3660は、秒カウンタ、ウォッチドッグタイマ、CPU監視回路、不揮発性(NV) SRAMコントローラ、および内部温度センサーを備えています。一次電源の障害時には、外部バッテリ源のスイッチが自動的に入り、メモリと時間を保持し、タンパー検出回路をアクティブ状態にします。オプションとして、内部1.8Vバイアスソースを選択して、低電圧SRAMをアクティブ状態に維持することができます。DS3660は、内蔵バッテリ動作デバイス用の低電圧モバイルホストマイクロプロセッサインタフェースで動作するように設定することができます。DS3660は、外部センサー、インターロック、およびタンパー防止メッシュとのインタフェース用の低リークのタンパー検出入力を提供します。また、DS3660は、絶対温度や温度変化率(ROC)が設定された制限を上回った場合や、水晶発振器の周波数が指定の範囲から逸脱した場合も、タンパーイベントを起動させます。タンパーイベントは、以降の障害回復に使用するためにラッチされ、タイムスタンプされます。
タイマー、タンパー監視、非インプリンティングのメモリ、およびデバイス構成へのアクセスは、I²C対応インタフェースを介して行われます。DS3660は、鉛フリー、7mm x 7mm x 0.8mmのCSBGAパッケージで提供されます。
アプリケーション
- アクセス制御セキュリティシステム
 - ATM
 - 暗号プロセッサ
 - Eコマースサーバ
 - ゲームシステム
 - ネットワークルータおよびスイッチ
 - ネットワークストレージサーバ
 - PINパッド
 - POS端末
 - セキュア通信
 - セットトップボックス
 - スマートカードリーダ
 - ソフトウェア無線
 
ドキュメント
| 製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル | 
|---|---|---|---|
| DS3660B+ | Chip-Scale Ball-Grid Array | ||
| DS3660B+TRL | Chip-Scale Ball-Grid Array | 
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