DS2016

2k x 8、3V/5VオペレーションスタティックRAM

データシート (Rev. 2)
利用上の注意

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
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製品の詳細

  • 低電力CMOS設計
  • スタンバイ電流
    • 50nA max (tA = 25℃、VCC = 3.0Vにて)
    • 100nA max (tA = 25℃、VCC = 5.5Vにて)
    • 1µA max (tA = +60℃、VCC = 5.5Vにて)
  • 動作電圧：VCC = 5.5V～2.7V
  • データ保持電圧：5.5V～2.0V
  • 高速5Vアクセスタイム
    • DS2016-100 100ns
  • 減速3Vアクセスタイム
    • DS2016-100 250ns
  • 動作温度範囲：-40℃～+85℃
  • 完全スタティック動作
  • 5.5V～2.7Vの電圧範囲でTTLコンパチブル入力と出力
  • 24ピンDIPと24ピンSOパッケージ
  • バッテリ駆動とバッテリバックアップのアプリケーションの両方に最適
DS2016
2k x 8、3V/5VオペレーションスタティックRAM
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