DS1744
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DS1744

Y2K対応、不揮発性タイムキーピングRAM

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製品モデル 8
1Ku当たりの価格 最低価格:$23.38
特長
  • NV SRAM、リアルタイムクロック、水晶振動子、電源障害制御回路、リチウムバッテリを集積化
  • スタティックRAMと同様にアクセス可能なクロックレジスタ。これらのレジスタは、RAMの8つの最上位位置に常駐
  • Y2K対応世紀バイトレジスタ
  • 電源なしで10年以上の動作期間、不揮発性を完全維持
  • 自動うるう年補正機能が付き、BCDコードの世紀、年、月、日付、曜日、時間、分、秒:2100年まで有効
  • バッテリ電圧レベル表示フラグ
  • 電源障害時書込み保護により、電源変動VCC ±10%を許容
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • DIPモジュールのみ
    • JEDEC規格のバイト幅32k x 8スタティックRAMのピン配列
  • PowerCapモジュールボードのみ
    • バッテリと水晶振動子を内蔵するPowerCapへの直接接続用表面実装型パッケージ
    • バッテリ交換可能(PowerCap)
    • パワーオンリセット出力
    • 他の記録密度のDS174xPタイムキーピングRAMとピンコンパチブル
  • 工業用温度範囲:-40℃~+85℃
製品概要
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DS1744は、フル機能の2000年問題対応(Y2KC)、リアルタイムクロック/カレンダ(RTC)および32k x 8 NV SRAMです。DS1744内部のすべてのレジスタへのユーザアクセスは、フルデータシートの「図1」に示すバイト幅インタフェースによって実現されます。RTCの情報および制御ビットはRAMの8つの最上位ロケーションに常駐します。RTCレジスタには、24時間BCD形式で世紀、年、月、日、曜日、時間、分、秒の各データが含まれています。各月の日付とうるう年の補正は自動です。RTCクロックレジスタは、クロックの更新サイクルの過程で発生する可能性のある不正データのアクセスを防止するためにダブルバッファされています。また、ダブルバッファ方式では、タイムキーピングカウントダウンは時間レジスタのデータへのアクセスによって影響されないので、タイムロスも防止されます。さらに、DS1744は、専用の停電回路を内蔵しているので、VCC電源が許容範囲から外れた状態にあるとき、デバイスの選択を解除します。この機能は、不正なアクセスや更新サイクルを回避する一方で、低レベルのVCCによって生じる予期しないシステム動作に対してデータの消失を防止します。

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なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.G)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

ドキュメント

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アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。
製品モデル ピン/パッケージ図 資料 CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
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