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特長
- NV SRAM、リアルタイムクロック、水晶振動子、停電制御回路、リチウム電池を内蔵
- スタティックRAMと同様にアクセスできるクロックレジスタ。これらのレジスタは、8つの最上位のRAM位置に常駐
- 無電源で10年以上動作と不揮発性完全維持
- うるう年補正機能が付いた、BCDコードの年、月、日、曜日、時間、分、秒：2099年まで有効
- 停電時書込み保護による、VCC ±10%電源変動許容
- DS1647のみ(DIPモジュール)：
- JEDEC規格のバイト幅128k x 8 RAMのピン配列
- DS1647Pのみ(PowerCapモジュールボード)：
- バッテリと水晶振動子内蔵PowerCapへの直接接続用表面実装型パッケージ
- バッテリ交換可能(PowerCap)
- 電源障害出力
- DS164xPタイムキーピングRAMの他の記録密度とピンコンパチブル
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DS1647は、フル機能のリアルタイムクロックを備えた512k x 8の不揮発性スタティックRAMで、これらはともにバイト幅形式でアクセスできます。この不揮発性タイムキーピングRAMは、JEDEC規格の512k x 8 SRAMと機能的に等価です。さらに、このデバイスは、ROM、EPROM、EEPROMに容易に置き換えることができ、読取り/書込みが不揮発性で、リアルタイムクロック機能が追加されています。リアルタイムクロック情報は、8つの最上位RAM位置に常駐します。RTCレジスタは、年、月、日、曜日、時間、分、秒の各データを24時間BCD形式で保存します。日付とうるう年の補正は自動です。RTCクロックレジスタは、クロックの更新サイクルの過程で発生の可能性のある不正データのアクセスを防止するためにダブルバッファされています。また、ダブルバッファ方式では、タイムキーピングカウントダウンは時間レジスタデータへのアクセスに影響されないので、タイムロスも防止されます。さらに、DS1647は、専用の停電回路を内蔵しているので、VCC電源が許容範囲から外れた状態にあるとき、デバイスの選択を解除します。この機能は、不正なアクセスや更新サイクルを回避する一方で、低レベルのVCCによって生じる予期しないシステム動作に対してデータの損失を防止します。
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DS1647P
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