DS1642

不揮発性タイムキーピングRAM

データシート (Rev. 4)
利用上の注意

本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.J）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
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製品情報

  • Integrated NV SRAM, Real-Time Clock, Crystal, Power-Fail Control Circuit, and Lithium Energy Source
  • Standard JEDEC Bytewide 2k x 8 Static RAM Pinout
  • Clock Registers are Accessed Identically to the Static RAM. These Registers are Resident in the Eight Top RAM Locations
  • Totally Nonvolatile with Over 10 Years of Operation in the Absence of Power
  • Access Times of 85ns and 100ns
  • Quartz Accuracy ±1 Minute a Month at +25°C, Factory Calibrated
  • BCD-Coded Year, Month, Date, Day, Hours, Minutes, and Seconds with Leap Year Compensation Valid Up to 2100
  • Power-Fail Write Protection Allows for ±10% VCC Power Supply Tolerance
  • Lithium Energy Source is Electrically Disconnected to Retain Freshness Until Power is Applied for the First Time

DS1642
不揮発性タイムキーピングRAM
DS1642：ブロックダイアグラム
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