DS1350AB
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DS1350AB

バッテリモニタ内蔵、4096k不揮発性SRAM

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特長
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中データ自動保護
  • VCCの起動時VCCの電力損失が発生しプロセッサがリセット状態で電源モニタはプロセッサをリセット
  • バッテリモニタが残存容量を毎日チェック
  • 70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 無制限の書込みサイクル可能
  • 標準スタンバイ電流:50µA
  • 512k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリのアップグレード製品
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • 最大VCC ±10%の動作範囲(DS1350Y)、またはオプションのVCC ±5%の動作範囲(DS1350AB)
  • オプションの-40℃~+85℃工業用温度範囲(INDと指定)
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによるリチウムバックアップバッテリ供給
    • 完全NV SRAM製品で標準化ピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapは簡単に取外し可能
製品概要
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4096k不揮発性(NV) SRAMのDS1350は、4,194,304ビット(524,288ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊が防止されます。また、DS1350は、VCCのステータスと内蔵リチウムバッテリのステータスを監視するための専用回路を備えています。PowerCapモジュールパッケージのDS1350は、そのまま表面実装することができ、通常はDS9034PCというPowerCapとペアにして完全なNV SRAMモジュールを構成します。このデバイスは、512k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリの代替部品として使用できます。

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