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DS1345W: バッテリモニタ内蔵、3.3V、1024k不揮発性SRAM Data Sheet (Rev. 3)1/1/1900PDF211K
製品概要
機能と利点
- 外部電源なしで最低10年間データ保持
- 無電源時データ自動保護
- VCCの起動中にVCCの電力損失が発生しプロセッサがリセット状態で、電源モニタはプロセッサをリセット
- バッテリモニタが残存容量を毎日チェック
- 100nsの読取り/書込みアクセス時間
- 無制限書込みサイクル可能
- 標準スタンバイ電流：50µA
- 128k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリのアップグレード品
- 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
- オプションの-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)
- PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
- 直接表面実装可能なモジュール
- 交換可能なスナップ式PowerCapによるリチウムバックアップバッテリ供給
- 全不揮発性SRAM製品で標準化ピン配列
- 一般のスクリュードライバでPowerCapは簡単に取外し可能
製品概要
3.3V 1024k NV SRAMのDS1345Wは、1,048,576ビット(131,072ワード x 8ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊が防止されます。また、DS1345Wは、VCCのステータスと内蔵リチウムバッテリのステータスを監視するための専用回路を備えています。PowerCapモジュールパッケージのDS1345Wデバイスは、そのまま表面実装でき、通常はDS9034PC PowerCapとペアにして完全な不揮発性SRAMモジュールを構成します。このデバイスは、128k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリの代替部品として使用できます。
製品カテゴリ
製品ライフサイクル
製造中
この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産／供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
参考資料
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Substitution Rules for Nonvolatile Memory Components1/12/2011
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Timing Considerations When Using NVSRAM3/20/2006
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Battery Monitoring in NV SRAM Modules6/28/2004
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NV SRAM Frequently Asked Questions5/14/2002
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。
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