DS1345AB
バッテリモニタ内蔵、1024k不揮発性SRAM
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製品の詳細
- 外部電源なしで最低10年間データ保持
- 無電源時データ自動保護
- VCCの起動中にVCCの電力損失が発生しプロセッサがリセット状態で、電源モニタはプロセッサをリセット
- バッテリモニタが残存容量を毎日チェック
- 100nsの読取り/書込みアクセス時間
- 無制限書込みサイクル可能
- 標準スタンバイ電流:50µA
- 128k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリのアップグレード品
- 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
- VCC ±10%動作範囲(DS1345Y)、またはオプションのVCC ±5%動作範囲(DS1345AB)
- オプションの-40℃~+85℃の工業用温度範囲(IND)
- PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
- 直接表面実装可能なモジュール
- 交換可能なスナップ式PowerCapによるリチウムバックアップバッテリ供給
- NV SRAM製品で標準化ピン配列
- 一般のスクリュードライバでPowerCapは簡単に取外し可能
1024k不揮発性(NV) SRAMのDS1345は、1,048,576ビット(131,072ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊が防止されます。また、DS1345は、VCCのステータスと内蔵リチウムバッテリのステータスを監視するための専用回路を備えています。PowerCapモジュールパッケージのDS1345は、そのまま表面実装することができ、通常はDS9034PCというPowerCapとペアにして完全なNV SRAMモジュールを構成します。このデバイスは、128k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリの代替部品として使用できます。
ドキュメント
データシート 2
デザイン・ノート 3
技術記事 1
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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