DS1330AB
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DS1330AB

バッテリモニタ内蔵、256k不揮発性SRAM

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よく聞かれる質問(FAQ)

製品モデル 1
1Ku当たりの価格
価格は未定
特長
  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中データ自動保護
  • VCCの起動時VCCの電力損失が発生しプロセッサがリセット状態で電源モニタはプロセッサをリセット
  • バッテリモニタが残存容量を毎日チェック
  • 100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 無制限の書込みサイクル可能
  • 標準スタンバイ電流:50µA
  • 32k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリのアップグレード製品
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • 最大VCC ±10%の動作範囲(DS1330Y)、またはオプションのVCC ±5%の動作範囲(DS1330AB)
  • オプションの-40℃~+85℃工業用温度範囲(INDと指定)
  • PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
    • 直接表面実装可能なモジュール
    • 交換可能なスナップ式PowerCapによるリチウムバックアップバッテリ供給
    • 全NV SRAM製品で標準化ピン配列
    • 一般のスクリュードライバでPowerCapは簡単に取外し可能
製品概要
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256k不揮発性(NV) SRAMのDS1330は、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊が防止されます。また、DS1330デバイスは、VCCのステータスと内蔵リチウムバッテリのステータスを監視するための専用回路を備えています。PowerCapモジュールパッケージのDS1330は、そのまま表面実装することができ、通常はDS9034PCというPowerCapとペアにして完全なNV SRAMモジュールを構成します。このデバイスは、32k x 8 SRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリの代替部品として使用できます。

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ドキュメント

アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。
製品モデル ピン/パッケージ図 資料 CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
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