DS1258Y

128k x 16不揮発性SRAM

データシート (Rev. 2)
利用上の注意

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
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製品の詳細

  • 外部電源なしで最低10年間データ保持
  • 停電中のデータ自動保護
  • 上位バイトと下位バイトを別々のチップにセレクト入力
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • 高速70nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • ±10%の動作電圧範囲(DS1258Y)
  • オプションとして±5%の動作電圧範囲(DS1258AB)
  • オプションとして-40℃～+85℃の工業用温度範囲(INDのサフィックス)
DS1258Y
128k x 16不揮発性SRAM
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