DS1258W
3.3V、128k x 16不揮発性SRAM
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製品の詳細
- 外部電源なしで最低10年間データ保持
- 停電中のデータ自動保護
- 上位バイトと下位バイトを別々のチップにセレクト入力
- 無制限の書込みサイクル
- 低電力CMOS
- 高速100nsの読取り/書込みアクセス時間
- 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
- オプションの工業用温度範囲-40℃~+85℃ (INDのサフィックス)
3.3V 128k x 16不揮発性SRAMのDS1258Wは、2,097,152ビット(131,072ワード x 16ビット構成)の完全スタティック不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウムバッテリと制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視します。VCCが許容範囲から外れると、リチウムバッテリが自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になりデータ破壊が防止されます。DIPパッケージのDS1258Wデバイスは、さまざまな個別部品の利用によって不揮発性128k x 16メモリを構成するソリューションの代りに使用できます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースには回路の追加の必要はありません。
ドキュメント
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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