製品概要

機能と利点

  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 2k x 8揮発性スタティックRAMまたはEEPROMに直接置換え可能
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS
  • JEDEC規格準拠24ピンDIPパッケージ
  • 100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • 最大±10% VCCの動作範囲(DS1220AD)
  • オプションとして、±5% VCCの動作範囲(DS1220AB)
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)

製品概要

16k不揮発性(NV) SRAMのDS1220ABとDS1220ADは、16,384ビット(2048ワード x 8ビット構成)の完全スタティックNV SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。NV SRAMは、通常のバイト長24ピンDIP規格に適合した既存の2k x 8 SRAMと置換使用できます。また、このデバイスは、ピン配列が2716 EPROMと2816 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、またマイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。

製品ライフサイクル icon-recommended 製造中

この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産/供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

サンプル&購入


ご注文に関するFAQ


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(**) 表示されている価格と価格範囲は、少量の注文に基づくものです。

 

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(*)価格は1Ku当たりの米ドルで、米国内における販売価格(FOB)で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。また、その価格は変更されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店. または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。

 

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