DS1200

製造中止

シリアルRAMチップ

データシート (Rev. 1)
製品セレクション・テーブル
利用上の注意

本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.J）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
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製品情報

  • 1024ビットの読取り/書込みメモリ
  • バッテリバックアップに必要なデータ保持電流が少ない
  • 400万ビット/秒のデータレート
  • 単一バイトまたは多バイトのデータ転送機能
  • 書込みサイクル数が無制限
  • 低電力のCMOS回路

DS1200シリアルRAMチップは、個々の8ビットの文字列(バイト)へのランダムアクセスや、全体が1024ビットの内容への順次アクセス(バーストモード)が可能な小型の読取り/書込みメモリです。マイクロプロセッサに対するインタフェースコストをオンチップ回路の採用で最小限に抑えて、CLK、アクティブローRST、DQの3つの信号だけでデータ転送ができます。

バッテリ入力VBATに2V～4Vのバッテリを接続することにより、不揮発性が実現します。負荷電流として0.5µAを用いて、必要なデータ保持時間に対する外部バッテリのサイズを定めます。不揮発性が必要でなければ、VBATピンをグランドに接続します。

アプリケーション

  • 自動システムセットアップ
  • キャリブレータ
  • コンピュータ識別
  • セキュア人事エリア
  • ソフトウェア権限
  • システムアクセス制御
  • 移動作業レコード
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シリアルRAMチップ
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