EM模型
利用基于转换的电磁(EM)模型EM-Plug，革新RF设计
在当今的高频RF IC性能中，芯片到PCB的转换至关重要。焊盘图案、焊盘寄生效应、走线几何形状和组件的选择/变化都会影响最终性能。传统的s参数模型方法将参考平面置于芯片边界或50 Ω走线处，使得转换区域被保留在参考平面之内，阻碍了对其他堆叠与转换方案的仿真分析。倘若因忽视而未能形成正确的转换，会导致回波损耗性能较差，引起信号完整性问题，并且当衬底或布局发生变化时，需要多次重新设计PCB。
ADI公司新推出的EM-Plug方法通过提供封装转换区域的3D模型，克服了上述限制。EM-Plug是轻便的模块化插头，可与任意EM求解器及核心芯片s参数集成，提供统一、完整的仿真。与需要极高算力且运行数小时的全EM模型不同，EM-Plug可在数分钟内完成仿真，同时不影响准确度。
通过基于转换的EM-Plug工具，用户可以修改和捕获每个关键变量，包括焊盘图案形状、衬底厚度和介电常数、RF走线类型（共面线、微带线、带状线）、焊膏和掩模轮廓，以及芯片的配置或焊线的选择。
工程师可以执行快速EM扫描与优化，调整转换并评估制造或装配容差效应，同时达到s参数或全芯片加密模型难以企及的精度。
EM-Plug将实际转换几何结构嵌入仿真流程中，从而消除s参数方法的盲点。通过缩小理论指导与实际挑战之间的差距，用户将对高频RF设计更有信心，同时可以缩短设计周期，减少PCB迭代次数并降低成本。
支持所有常见的RF IC封装（LFCSP、LGA、芯片和接线、倒装芯片SMT），无需工具锁定。
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