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关于作者
Sean McBride ,
Senior Applications Engineer

克服GaN功率放大器实施中的挑战

我们将介绍氮化镓(GaN)相较于砷化镓(GaAs) IC技术的一些优势,并探讨在裸片、表贴和机械连接方面从GaAs转向GaN功率放大器实施中存在的一些挑战。挑战将包括组装、热管理和直流偏置考虑因素。我们将展示ADI解决方案如何用于克服这些挑战。



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Sean于1996年获得马萨诸塞大学安姆斯特分校物理学学士学位。从此之后,他在RF/微波半导体公司先后担任过多种职位,包括ADI公司、Peregrine Semiconductor、IDT、恩智浦的产品工程师以及Hittite Microwave应用工程师。