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本演示电路是一款面向一般应用的 N 沟道半桥。该半桥可用 TTL/CMOS 电平信号驱动至负责驱动 N 沟道 MOSFET 的 LT®1336 中。独立式高端驱动器稳压器可实现 100% 占空比的 PWM 操作,并不会出现中断。通过在供原型设计之用的空间内添加一个控制器 IC 和一些其他组件,可以将本演示板转变为完整的系统解决方案。该半桥包括四个功率 MOSFET、两个并联的顶端 MOSFET 和两个并联的底端 MOSFET。

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使用入门

演示板 102 可以轻松设置用于评估 LT1336 IC。请按照下面的程序操作以实现无错运行。


  • 将低功耗电源的正极引线连接到 VIN (E3),并将负极引线连接到 GND (E7)。此电源的电压范围必须介于 10V – 15V 之间。
  • 将高功耗电源的正极引线连接到 HV (E1),并将负极引线连接到 GND (E7)。推荐的最大工作电压为 50V。电容器、MOSFET 和 IC 的额定最大电压为 60V(绝对值)。
  • 将驱动信号连接到 INTOP (E5) 和 INBOTTOM (E6)。高 INTOP 和低 INBOTTOM 会打开顶部 MOSFET 并关闭底部 MOSFET。低 INTOP 和高 INBOTTOM 会反转这些状态。当两个输入都为高或低时,所有 MOSFET 都将关闭。这些输入与 TTL/CMOS 兼容,并可承受高达 VIN 的输入电压。
  • 在 OUT (E2) 和 GND (E7) 之间连接负载。

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所示报价为单片价格。所列的美国报价单仅供预算参考,指美元报价(每片美国离岸价),如有修改恕不另行通知。由于地区关税、商业税、汇率及手续费原因,国际报价可能不同。