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智能GaN降压控制器设计—第2部分:配置和优化

相较于智能近零死区时间模式,在电阻设定模式下采用 35 纳秒死区时间,会对氮化镓场效应晶体管的热性能产生何种影响?

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学子专区论坛— 文氏电桥振荡器的 分析与制作(第二部分):实现方案

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