無線周波数(RF)の窒化ガリウム(GaN)ソリューション
GaNパワー・アンプは高い効率を備えたコンパクトな実装で高出力を実現し、更にその結果として熱放出量の減少やシステム全体としての効率向上を実現して、システム設計の複雑さを抑制します。また、GaNアンプは狭帯域幅と広帯域幅の両方で極めて優れた直線性を発揮し、信号の忠実度を保証してシステムの性能を向上させます。アナログ・デバイセズのGaNパワー・アンプは本質的に信頼性と耐久性に優れていることから、航空宇宙および防衛、通信、試験および計測市場向けのRFシステム設計における実用性の高い選択肢となっており、過酷な環境下でも長期にわたり信頼できる動作を保証します。
Value and Benefits
- 業界をリードする性能:ADI GaNパワー・アンプは、最も厳しいセンシング、増幅、通信の目標を達成します。
- 開発の加速:堅牢な設計サポートがソリューションの市場投入を加速します。
- 効率の向上:出力結合損失を低減し、より高いPAEを実現します。
- 電力優位性:高いブレークダウン電圧により、より高い電力、密度、熱伝導性の向上が可能になります。
ソリューション・リソース
開発者ツールおよびリソース
開発者ツール
ADIsimRF
KeysightのPathwaveシステム設計およびRF合成用のSys-Parameterモデル
シミュレーション・モデル
アナログ・デバイセズは、RF、リニア、コンバータ、パワー・マネジメント、その他の製品用に、回路やボード・レベルのシミュレーションのニーズに応えるシミュレーション・モデルを提供しています。
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