製品概要
機能と利点
- 調整可能なデッド・タイム
- 出力電圧範囲：最大35V
- 接続を容易にするスクリュー端子
- 外部直列ゲート抵抗のパッド配置
- 容量性負荷テスト用のパッド配置
- TO-220またはTO-252のIGBTまたはMOSFETをサポート
- ブートストラップ・オプション
- ハーフブリッジの設定が容易になるジャンパ配置
製品概要
EVAL-ADuM4221-1EBZはADuM4221-1ハーフブリッジ・ゲート・ドライバに対応しており、アナログ・デバイセズのiCoupler®技術を利用して、独立した絶縁ハイサイド／ローサイド出力を提供します。EVAL-ADuM4221-1EBZには、1つのPWM入力とデッド・タイム制御機能を備えたADuM4221-1が搭載されています。EVAL-ADuM4221-1EBZは、様々な駆動条件を構成する、ジャンパとネジ端子を備えています。EVAL-ADuM4221-1EBZは、方形波およびPWM、DISABLEピンのDC値で動作します。
ADuM4221-1は2.5V～6.5Vの入力電源で動作し、より低電圧のシステムとの互換性も備えています。入力PWMピンにおけるロジック・レベル電圧は、VOAおよびVOBの出力を制御します。ドライバには、ハイ・レベルが持続した場合に、チャンネルにおける入力に関係なくデバイスをシャットダウンさせる、DISABLE入力ピンが備わっています。基本的なオーバーラップ保護機能を備え、PWMピンでの入力から相補出力VOAおよびVOBを生成できます。また、1次側のデッド・タイム（DT）ピンによって、これらの出力遷移によるデッド・タイムを調整できます。
ADuM4221-1は、2次側では最大35Vの電圧で動作します。EVAL-ADuM4221-1EBZは、ハイサイド電源をローサイド電源にブートストラップする機能を備えています。EVAL-ADuM4221-1EBZを使用すると、デバイスの伝搬遅延、駆動能力、デッド・タイム動作、入力ロジックのテストを容易に行うことができます。EVAL-ADuM4221-1EBZは、絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ（IGBT）および金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）用のフットプリントを、TO-220およびTO-252パッケージ内に備えているため、様々な電源デバイスでADuM4221-1の評価を実行できます。
ADuM4221-1の詳細については、ADuM4221-1のデータシートを参照してください。EVAL-ADuM4221-1EBZを使用する際は、データシートと併せてユーザ・ガイドを参照してください。
はじめに
必要な装置
推奨試験装置
- 1次側電源：100mAで0V～6.5V
- 2次側電源（× 2）：250mAで0V～35V
- 矩形波ジェネレータ：0V～5V
関連資料
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