GaN ブロック図

設計者は、航空電子機器、レーダー、電子戦用電波妨害装置、通信インフラストラクチャ機器、衛星、防衛システム、試験装置および計測器、RF センシングにおけるサイズ、重量、電力消費(SWaP)に対する要求の高まりに直面しています。

GaN では LDMOS の周波数の制約(一般的に 3 ~ 4 GHz 未満に制限)を克服し、周波数機能を 50 GHz 以上にまで拡張しています。アナログ・デバイセズは様々な周波数帯域の各種アプリケーションを対象として開発に取り組んでいます。アナログ・デバイセズは GaN 技術を利用して、当社独自の強みとなる RF アンプ/マイクロ波パワー・アンプを製造しています。これにより、当社の製品ではより高い出力電力レベル(35 ワットを上回る連続波)を達成し、効率が向上(50 % 超)すると共に、広い周波数帯域幅を実現しています(2 ~ 20 GHz)。

右側のグラフは、他の技術と比較して、GaN 技術を活用する方がより高い電力と広い周波数範囲を実現できることを示したものです。

GaN アンプ

記事:
GaN により障壁を打破―RF パワー・アンプは、より高性能、より広帯域に

回路設計技法の向上と相まって、ゲート長の短い GaAs および GaN トランジスタが利用できるようになり、ミリ波周波数で快適に動作する新しいデバイスが登場したことで、10 年前には考えられなかった新しいアプリケーションが可能になりました。この記事では、これらの開発を可能にする半導体技術の状況、最適な性能を実現するための回路設計の考慮事項、最新の技術を実証する GaAs および GaN 広帯域パワー・アンプ(PA)の例を簡単に説明します。

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GaN Block Diagram

RF and Microwave Capabilities Brochure

カタログ:
RF およびマイクロ波製品

アナログ・デバイセズが持つ強みと専門知識を生かしてお客様のニーズに合った性能を提供する、GaN、CMOS、SOI などの幅広い技術プロセスをご覧ください。アナログ・デバイセズは DC から 100 GHz 超まで、1000 以上の単一機能と統合化製品が揃った業界最大のポートフォリオを提供しています。

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