GaN 方框图

设计人员在航空电子设备、雷达、电子战干扰器、通信基础设施设备、卫星、军事系统、测试和测量仪器仪表以及射频检测方面面临着尺寸、重量和功率(SWaP)的重大需求。

GaN克服了LDMOS的频率限制(通常限制在3-4 GHz以下),将频率范围扩展到50 GHz甚至更高。我们的开发工作针对不同频段的不同应用。我们正在利用GaN技术生产高度差异化的射频和微波功率放大器。这使我们的产品能够达到更高的输出功率水平(> 35瓦CW连续波),提高效率(> 50%),并扩展频率带宽(2至20 GHz)。

右图说明了相对于其他技术而言,GaN技术最适合用于实现更高功率和扩展频率。

GaN 放大器

文章:
GaN 突破障碍 - 射频功率放大器实现宽带和高性能

随着具有更短的栅极长度 GaAs 和 GaN 晶体管的出现,再加上改进的电路设计技术,开发出新的器件,并可轻松地在毫米波频率中运行,开启了十年前难以实现的新应用。本文将简要描述实现这些发展的半导体技术的状态、实现最佳性能的电路设计考虑因素,以及展示当今技术的 GaAs 和 GaN 宽带功率放大器(PA)的示例。

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GaN Block Diagram

RF and Microwave Capabilities Brochure

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RF&微波功能

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