Меню
Закрыть
Обзор
Особенности и преимущества
- Выходная мощность P1dB: 28 дБм, тип.
- Коэффициент усиления: 15.5 дБ, тип.
- IP3 по выходу: 39 дБм, тип.
- Внутреннее смещение VDD = 12 В/345 мА
- Опциональное управление смещением на VGG1 для регулировки IDQ
- Опциональное управление смещением на VGG2 для оптимизации IP2 и IP3
- Согласованные с 50 Ом вход и выход
- 32-выводный корпус LFCSP: 5 мм × 5 мм (25 мм2)
Подробнее о продукте
HMC637BPM5E — это производимая по арсенид-галлиевой (GaAs) технологии изготовления псевдоморфных транзисторов с повышенной подвижностью электронов (pHEMT) монолитная интегральная схема СВЧ каскодного распределенного усилителя мощности. В нормальном режиме компонент функционирует с внутренним смещением. Также имеется возможность управления смещением для регулировки потребляемого тока (IDQ) и оптимизации значений точек пересечения с характеристиками интермодуляционных искажений второго (IP2) и третьего (IP3) порядков. Усилитель работает в полосе частот от нуля до 7.5 ГГц, обеспечивая коэффициент усиления 15.5 дБ в режиме малого сигнала, точку компрессии коэффициента усиления по уровню 1 дБ, равную 28 дБм, типичное значение точки пересечения с характеристикой интермодуляционных искажений третьего порядка по выходу (IP3) 39 дБм и коэффициент шума 3.5 дБ, потребляя ток 345 мА от источника напряжения питания 12 В (VDD). HMC637BPM5E обладает превосходной неравномерностью коэффициента усиления в полосе от нуля до 7.5 ГГц (±0.5 дБ, тип.), что делает его идеальным выбором для военной, космической и контрольно-измерительной техники. Входы и выходы HMC637BPM5E имеют внутреннее согласование с 50 Ом. Компонент выпускается в соответствующем требованиям RoHS полом корпусе LFCSP (lead frame chip scale package) с габаритами 5 мм × 5 мм, благодаря чему он подходит для крупносерийного производства с использованием технологий поверхностного монтажа.
Области применения
- Оборонная и космическая техника
- Контрольно-измерительная аппаратура
Продукты
Области применения и технологии
Статус продукта
Рекомендовано для новых разработок
Данный продукт выпущен на рынок. Техническое описание содержит окончательные характеристики и рабочие параметры продукта. Для новых разработок ADI рекомендует применение данных продуктов.
Оценочные комплекты (1)
Техническая документация
Статьи по применению (3)
Инструменты и симуляторы
Sys-Parameters
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-параметры
Инструменты проектирования
С помощью инструмента проектирования ADIsimRF компании Analog Devices можно рассчитать наиболее важные параметры ВЧ сигнальных цепочек, такие как покаскадный коэффициент усиления, параметры шумов, IP3, точку компрессии 1 дБ и полную потребляемую мощность.
Материалы по теме
Руководство по выбору компонента (1)
Ресурсы проектирования
Компания Analog Devices всегда уделяла повышенное внимание обеспечению максимальных уровней качества и надежности предлагаемых продуктов. Для этого мы внедряем контроль качества и надежности на каждом этапе проектирования технологических процессов и продуктов, а также на этапе производства. Нашим принципом является обеспечение "полного отсутствия дефектов" поставляемых компонентов.
Образцы и покупка
Приведенные цены действительны в США и указаны только для примерного бюджетного рассчета. Цены указаны в долларах США (за штуку в указанном размере партии) и могут быть изменены. Цены в других регионах могут отличаться в зависимости от местных пошлин, налогов, сборов и курсов валют. Для уточнения стоимости обращайтесь в местные офисы продаж Analog Devices, или к официальным дистрибьюторам. Цены на оценочные платы и наборы указаны за штуку независимо от количества.
