Обзор
Особенности и преимущества
- Integrated dual-channel RF front end
- 2-stage LNA and high power silicon SPDT switch
- On-chip bias and matching
- Single supply operation
- Gain
- High gain mode: 33 dB typical at 3.6 GHz
- Low gain mode: 16 dB typical at 3.6 GHz
- Low noise figure
- High gain mode: 1.0 dB typical at 3.6 GHz
- Low gain mode: 1.0 dB typical at 3.6 GHz
- High isolation
- RXOUT-CHA and RXOUT-CHB: 45 dB typical
- TERM-CHA and TERM-CHB: 60 dB typical
- Low insertion loss: 0.45 dB typical at 3.6 GHz
- High power handling at TCASE = 105°C
- Full lifetime
- LTE average power (9 dB PAR): 43 dBm
- Full lifetime
- High OIP3 (high gain mode): 32 dBm typical
- Power-down mode and low gain mode for LNA
- Low supply current
- High gain mode: 86 mA typical at 5V
- Low gain mode: 36 mA typical at 5V
- Power-down mode: 12 mA typical at 5V
- Positive logic control
- 6 mm × 6 mm, 40-lead LFCSP package
- Pin compatible with the ADRF5545A, 10 W version
Подробнее о продукте
The ADRF5515 is a dual-channel, integrated RF, front-end, multichip module designed for time division duplexing (TDD) applications. The device operates from 3.3 GHz to 4.0 GHz. The ADRF5515 is configured in dual channels with a cascading, two-stage, LNA and a high power silicon SPDT switch.
In high gain mode, the cascaded two-stage LNA and switch offer a low noise figure of 1.0 dB and a high gain of 33 dB at 3.6 GHz with an output third-order intercept point (OIP3) of 32 dBm (typical). In low gain mode, one stage of the two-stage LNA is in bypass, providing 16 dB of gain at a lower current of 36 mA. In power-down mode, the LNAs are turned off and the device draws 12 mA.
In transmit operation, when RF inputs are connected to a termination pin (TERM-CHA or TERM-CHB), the switch provides low insertion loss of 0.45 dB and handles long-term evolution (LTE) average power (9 dB peak to average ratio (PAR)) of 43 dBm for full lifetime operation.
The ADRF5515 is pin-compatible with the ADRF5545A, 10 W version, which operates from 2.4 GHz to 4.2 GHz.
The ADRF5515 does not require any matching components at the RF ports that are internally matched to 50 Ω. The ANT and TERM ports are also internally ac-coupled. Therefore, only receiver ports require external dc blocking capacitors.
The device comes in an RoHS compliant, compact, 6 mm × 6 mm, 40-lead LFCSP package.
Applications
- Wireless infrastructure
- TDD massive multiple input and multiple output and active antenna systems
- TDD-based communications systems
Продукты
Области применения и технологии
Статус продукта
Рекомендовано для новых разработок
Данный продукт выпущен на рынок. Техническое описание содержит окончательные характеристики и рабочие параметры продукта. Для новых разработок ADI рекомендует применение данных продуктов.
Оценочные комплекты (1)
Техническая документация
Техническое описание (1)
Инструменты и симуляторы
S-параметры
Ресурсы проектирования
Компания Analog Devices всегда уделяла повышенное внимание обеспечению максимальных уровней качества и надежности предлагаемых продуктов. Для этого мы внедряем контроль качества и надежности на каждом этапе проектирования технологических процессов и продуктов, а также на этапе производства. Нашим принципом является обеспечение "полного отсутствия дефектов" поставляемых компонентов.
Поддержка и обсуждения
ADRF5515 Обсуждения
Образцы и покупка
Приведенные цены действительны в США и указаны только для примерного бюджетного рассчета. Цены указаны в долларах США (за штуку в указанном размере партии) и могут быть изменены. Цены в других регионах могут отличаться в зависимости от местных пошлин, налогов, сборов и курсов валют. Для уточнения стоимости обращайтесь в местные офисы продаж Analog Devices, или к официальным дистрибьюторам. Цены на оценочные платы и наборы указаны за штуку независимо от количества.