Обзор
Особенности и преимущества
- Integrated dual-channel RF front end
- 2-stage LNA and high power SPDT switch
- On-chip bias and matching
- Single supply operation
- Gain
- High gain mode: 32 dB typical at 3.6 GHz
- Low gain mode: 16 dB typical at 3.6 GHz
- Low noise figure
- High gain mode: 1.45 dB typical at 3.6 GHz
- Low gain mode: 1.45 dB typical at 3.6 GHz
- High isolation
- RXOUT-CHA and RXOUT-CHB: 47 dB typical
- TERM-CHA and TERM-CHB: 52 dB typical
- Low insertion loss: 0.65 dB typical at 3.6 GHz
- High power handling at TCASE = 105°C
- Full lifetime
- LTE average power (9 dB PAR): 40 dBm
- Single event (<10 sec operation)
- LTE average power (9 dB PAR): 43 dBm
- Full lifetime
- High OIP3: 32 dBm typical
- Power-down mode and low gain mode for LNA
- Low supply current
- High gain mode: 86 mA typical at 5 V
- Low gain mode: 36 mA typical at 5 V
- Power-down mode: 12 mA typical at 5 V
- Positive logic control
- 6 mm × 6 mm, 40-lead LFCSP package
Подробнее о продукте
The ADRF5545A is a dual-channel, integrated radio frequency (RF), front-end multichip module designed for time division duplexing (TDD) applications that operates from 2.4 GHz to 4.2 GHz. The ADRF5545A is configured in dual channels with a cascading two-stage low noise amplifier (LNA) and a high power silicon single-pole, double-throw (SPDT) switch.
In high gain mode, the cascaded two-stage LNA and switch offer a low noise figure (NF) of 1.45 dB and a high gain of 32 dB at 3.6 GHz with an output third-order intercept point (OIP3) of 32 dBm (typical). In low gain mode, one stage of the two-stage LNA is in bypass, providing 16 dB of gain at a lower current of 36 mA. In power-down mode, the LNAs are turned off and the device draws 12 mA.
In transmit operation, when RF inputs are connected to a termination pin (TERM-ChA or TERM-ChB), the switch provides a low insertion loss of 0.65 dB and handles long-term evolution (LTE) average power (9 dB peak to average ratio (PAR)) of 40 dBm for full lifetime operation and 43 dBm for single event (<10 sec) LNA protection operation.
The device comes in an RoHS compliant, compact, 6 mm × 6 mm, 40-lead LFCSP package.
Applications
- Wireless infrastructure
- TDD massive multiple input and multiple output and active antenna systems
- TDD-based communication systems
Статус продукта
Рекомендовано для новых разработок
Данный продукт выпущен на рынок. Техническое описание содержит окончательные характеристики и рабочие параметры продукта. Для новых разработок ADI рекомендует применение данных продуктов.
Оценочные комплекты (1)
Техническая документация
Техническое описание (1)
Руководства пользователя (1)
Заметки разработчика (1)
Инструменты и симуляторы
S-параметры
Материалы по теме
Руководство по выбору компонента (1)
Технические статьи (1)
Ресурсы проектирования
Компания Analog Devices всегда уделяла повышенное внимание обеспечению максимальных уровней качества и надежности предлагаемых продуктов. Для этого мы внедряем контроль качества и надежности на каждом этапе проектирования технологических процессов и продуктов, а также на этапе производства. Нашим принципом является обеспечение "полного отсутствия дефектов" поставляемых компонентов.
Образцы и покупка
Приведенные цены действительны в США и указаны только для примерного бюджетного рассчета. Цены указаны в долларах США (за штуку в указанном размере партии) и могут быть изменены. Цены в других регионах могут отличаться в зависимости от местных пошлин, налогов, сборов и курсов валют. Для уточнения стоимости обращайтесь в местные офисы продаж Analog Devices, или к официальным дистрибьюторам. Цены на оценочные платы и наборы указаны за штуку независимо от количества.