Offline LED Driver Reference Design

説明

簡単な回路の説明

このリファレンスデザインはオフライン環境(400VDC)でのフライバックLEDドライバです。この設計では400mAで27のWLED (白色LED)を駆動可能です。ジャンパJ1を取り付けると、この設計は400mAで6つのアンバLEDを駆動します。この設計はHB LEDコントローラのMAX16801および3巻き線トランス(結合インダクタ)を使用します。電流検出がICの制御ループに直接供給されるため、電気的絶縁はありません。

トランスの巻き線比は18:6:1です。1次インダクタンスは750mA (ピーク)の電流定格で800µHであり、デューティサイクルは常に50%以下です。

動作周波数は265kHzで調整不可能です。過電圧保護(非ラッチ)は120Vです。UV検出レベルは310Vです。電源オンの遅延時間はおよそ43msで、その後にVINはおよそ22Vとなり、ICは外付けMOSFETの駆動を始めます。すると、このことにより、V_INのコンデンサが減衰して、それはブートストラップ巻き線がサポート可能になるまで続きます。低電圧ではLEDはハイインピーダンスであるため、最初は主な2次負荷は出力コンデンサのみになります。2次と3次の巻き線比は6:１で、それは60Vが出力コンデンサに現れると直ぐにブートストラップ巻き線はICに10Vを供給することを意味します。6つのLEDストリングのオプション(即ち、J1が取り付けられている)では、10VがICに利用可能になる前に出力コンデンサは明らかに、10.7Vまで充電しなければなりません。

インダクタの1次巻き線の計算されたピーク電流は750mAです。リーケージインダクタンスは2次巻き線をサンドイッチした分割1次巻き線によって最小化されています。測定された1次リーケージインダクタンスは5µH以下です。この値が小さいため、リーケージインダクタンスのエネルギーを消費する特別な用意はなく、リーケージエネルギーのすべてはMOSFET自身で消費されます。トランスの温度上昇は30℃以下です。

スイッチングMOSFETには絶縁タブがあり、このためヒートシンクをグランドに接続することが可能です。このことにより、高速の電圧トランジェントが現れる金属表面領域が最小化されて、このため放射EMIが最小化されます。MOSFETの温度上昇は40℃以下と測定されます。