DS1265W

3.3V、8Mb不揮発性SRAM

データシート (Rev. 3)
利用上の注意

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
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製品の詳細

  • 外部電源なしで最低10年間データ保持
  • 停電中のデータ自動保護
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS動作
  • 100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウムバッテリを電気的に切断
  • オプションとして-40℃～+85℃の工業用温度範囲(IND)
DS1265W
3.3V、8Mb不揮発性SRAM
DS1265W：ピン配置
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ドキュメント

データシート 2

信頼性データ 1

デザイン・ノート 4

技術記事 1

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ハードウェア・エコシステム

製品モデル 製品ライフサイクル 詳細
Product 2
DS1249W
3.3V、2048kb不揮発性SRAM
DS1270W
3.3V、16Mb不揮発性SRAM
不揮発性SRAM 5
DS1265Y
新規設計に推奨 8M不揮発性SRAM
DS1265AB
新規設計に推奨 8M不揮発性SRAM
DS1230W
製造中 3.3V、256k不揮発性SRAM
DS1245W
製造中 3.3V、1024k不揮発性SRAM
DS1250W
製造中 3.3V、4096k不揮発性SRAM
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