DS1249W

3.3V、2048kb不揮発性SRAM

利用上の注意

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なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.G)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

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製品の詳細

  • 外部電源なしで最低10年間データを保持
  • 停電中は、データを自動的に保護
  • 無制限の書込みサイクル
  • 低電力CMOS動作
  • 100nsの読取り/書込みアクセス時間
  • 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
  • オプションとして、-40℃~+85℃の工業用(IND)温度範囲
  • JEDEC規格準拠32ピンDIPパッケージ
  • DS1249W
    3.3V、2048kb不揮発性SRAM
    DS1249W:ピン配置
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    ハードウェア・エコシステム

    製品モデル 製品ライフサイクル 詳細
    Product 2
    DS1265W 3.3V、8Mb不揮発性SRAM
    DS1270W 3.3V、16Mb不揮発性SRAM
    不揮発性SRAM 5
    DS1249Y 新規設計に推奨 2048k不揮発性SRAM
    DS1249AB 新規設計に推奨 2048k不揮発性SRAM
    DS1230W 製造中 3.3V、256k不揮発性SRAM
    DS1245W 製造中 3.3V、1024k不揮発性SRAM
    DS1250W 製造中 3.3V、4096k不揮発性SRAM
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