DS1230W
製造中3.3V、256k不揮発性SRAM
- 製品モデル
- 5
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$19.75
製品の詳細
- 外部電源なしで最低10年間データを保持
- 停電中は、データを自動的に保護
- 32k x 8揮発性スタティックRAM、EEPROM、またはフラッシュメモリに置換え可能
- 無制限の書込みサイクル
- 低電力CMOS
- 100nsの読取り/書込みアクセス時間
- 電源初期投入まで、リチウム電池を電気的に切断
- オプションとして、-40℃~+85℃の工業用温度範囲(INDと指定)
- JEDEC規格準拠28ピンDIPパッケージ
- PowerCapモジュール(PCM)パッケージ
- 直接表面実装可能なモジュール
- 交換可能なスナップ式PowerCapによりリチウムバックアップ電池を実装
- すべての不揮発性SRAM製品を考慮し標準化したピン配列
- 一般のスクリュードライバでPowerCapの取外しは容易
3.3V 256k NV SRAMのDS1230Wは、262,144ビット(32,768ワード x 8ビット構成)の完全スタティック、不揮発性SRAMです。各NV SRAMは、リチウム電池と制御回路を内蔵し、これらによってVCCの許容範囲からの外れを常に監視しています。VCCが許容範囲から外れると、リチウム電池が自動的にオンになり、書込み保護が無条件に有効になってデータ破壊を防止します。DIPパッケージのDS1230Wデバイスは、通常のバイト長の28ピンDIP規格に適合した既存の32k x 8スタティックRAMと置換使用できます。また、このDIPデバイスは、ピン配列が28256 EEPROMと同一なので、性能を向上させる際にそのまま置換使用できます。PowerCapモジュールパッケージのDS1230Wデバイスは、そのまま表面実装でき、通常はDS9034PC PowerCapとペアにして完全な不揮発性SRAMモジュールを構成します。実行可能な書込みサイクル数に制限がなく、マイクロプロセッサとのインタフェースに対し回路を追加する必要がありません。
ドキュメント
データシート 2
信頼性データ 1
デザイン・ノート 4
技術記事 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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DS1230W-100+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1230W-100IND+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1230W-150+ | Encapsulated Dual-In-Line Module | ||
DS1230WP-100+ | PowerCap Module | ||
DS1230WP-150+ | PowerCap Module |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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該当なし | ||
9 29, 2015 - 1479K ASSEMBLY |
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DS1230W-100+ | 製造中 | |
DS1230W-100IND+ | 製造中 | |
DS1230W-150+ | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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