GaN Solutions: Devices to Solid State HPAs

Gallium Nitride (GaN) is revolutionizing Aerospace and Defense Systems. In this webcast ADI discusses Gallium Nitride technology, reviewing the benefits and challenges of using GaN devices in future high power amplifiers (HPA) for a wide range of Radar, Communications and Electronic Defense systems. A detailed comparison to alternative solutions is alsoprovided as well as insight into future GaN based solutions.

Keith Benson は、2002 年にマサチューセッツ大学アマースト校で電子工学の学士号を取得しました。続いて同年Hittite Microwave Corporationに入社してマイクロ波ICの設計を開始。高周波アンプと周波数変換ICを中心とするIC設計グループのマネージャ(2011年~)、Hittite Microwaveのアンプ製品担当ディレクタ(2014年初め~)を経て、2014年7月のアナログ・デバイセズによるHittite Microwave買収に伴い、RF/MWアンプおよびフェーズド・アレイIC担当の製品ライン・ディレクタに就任しました。アンプ技術に関する 3 件の米国特許を保有しています。

1983年にUCLAでBSEEを取得し、1987年にHughes AircraftCompany社のフェローシップ・プログラムでMSEEを取得。Hughesでは、ミルスター(Milstar)衛星コンステレーションや広帯域グローバル衛星システムを含む複数の国家安全保障プログラムに従事。マイクロ波モジュールやMMICの開発、フェーズド・アレイ・サブシステムのアーキテクチャと設計などに貢献し、技術設計チームのリーダーを務める。5件の米国特許を保持。2002年、後にノースロップ・グラマンに買収されたTRWに入社し、30MHz~45GHz、およびC、X、KuバンドのSATCOMおよび地上通信端末で動作する高効率広帯域RFパワー・アンプの開発を主導。2010年にはその業績が認められてノースロップ・グラマンのテクニカル・フェローに選出。現在は、カリフォルニア州サンディエゴにあるアナログ・デバイセズのハイ・パワー・サブシステム・グループを率いるエンジニアリング・マネージャ。このグループの専門は、レーダーおよび電子戦アプリケーション用の超ハイ・パワー広帯域ソリッドステート・パワー・アンプの設計開発。