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Hot Swap回路は1000Wを超える電力レベルでの使用が増加しています。このような電力レベルでは、複数のスイッチMOSFETが必要ですが、MOSFETは本来電流を共有しないので、電流がレギュレーションされるときMOSFETを追加しても回路の消費電力性能は改善されません。LTC4282は、複数のMOSFETを2つの並列バンクに分離することによりこの問題を解決します。2つの並列バンクは個別に電流制限を備えており、それらの間の電流分担を強制します。この方法は従来のソリューションと同じ個数の同じタイプのMOSFETを使用しながら、アプリケーションのSOAを倍にするので、SOAが小さい安価なMOSFETを使用できます。