FAQ

ADG794 - FAQ

Pwr Dissとは?

Q:   ± 仕様欄に表記されている"Pwr Diss(Max) 20mW"(一例)に関して用語の意味を教えてください。

A:   Pwr Diss(Max) 20mW ですが、Power Dissipationの略表示となっており、パラメータとしては消費電力となります。

外形寸法図のBSCとは?

Q:   ± データシーとの外形図に記されている「BSC」とは、どのような意味でしょうか。

A:    BaSiCの略です。公称値という意味です。

ICの寿命や製品保証の資料は?

Q:  ± ICの寿命・製品保証に関する資料はありますか。故障率でも結構です。

A:   弊社で供給しております半導体製品の一般的な信頼性データは、弊社Webサイトから検索することが出来ます。また品質保証に関する資料等もこのサイトから検索することが出来ます。品質&信頼性のサイトから信頼性データや信頼性ハンドブック、FITレート、技術資料などをご覧ください。

デシケータ管理条件

Q:  パッケージ開封後のデシケータ管理の条件について教えてください。管理状況によってベーキングが必要となるかと思います。その条件についても併せて教えてください。

A:  アナログ・デバイセズ製品に関しましては、湿度等の条件はJEDECのSTD–20Dを適用しております。(もともとご質問の製品は)その規定によりMSL(Moisuture Level)1と規定された製品です。MSL1のデバイスに対する取り扱いにつきましては、このJEDE STD–20Dをご参照ください。なおMSL1はもっとも管理が緩い製品レベルです。

CMOSスイッチの未使用端子の処理

Q:  CMOSスイッチの入出力端子処理についてお教え下さい。
スイッチをOFFに制御した状態で、ソース、あるいはドレインを未接続(オープン)、もしくは不定状態にすることは可能でしょうか? 何か悪影響がありますでしょうか?

A:   スイッチをOFFのステートにした場合、DとSはともに高インピーダンス状態になります。原理的にはオープンでも回路動作に矛盾は起きませんが、高インピーダンスのアナログ入出力ピンをオープンにすることは、お勧めしておりません。静電気や他の回路からのリークなどにより、使用中に不慮の事故を起こす危険性がありますので、一般的には使用しないD,Sはともにグランドに接続しておくことを推奨しています。

使用温度の規定の見方は?

Q:  使用温度の考え方について。 JunctionTemp.とOperatingTemp. パッケージ表面温度はどちらの規定に従えばよいのでしょう? 周囲温度55度、パッケージ表面温度90度の場合、仕様は満たされると考えてよいのでしょうか?

A:  半導体デバイスの温度設計上、最も重要な規格は、ジャンクション温度です。消費電力の多いデバイスでは、その電力とパッケージの温度抵抗よりジャンクション温度を求めその温度が規定の範囲を越えているかどうかで、判断します。しかしながら消費電力の低いデバイスでは、パッケージ温度や周囲温度とジャンクション温度の差が大きくないのでこの様なデバイスの場合、動作保証温度=周囲温度という記述でデータシートに規定されています。たとえば、仮に消費電力が10mWのデバイスの場合、θjaが200℃/Wであったとしても、周囲温度とジャンクションの温度差は、2℃しかありません。このようなデバイスでは動作温度範囲=周囲温度とされています。
AD8253の場合θja=112℃/Wで、自己消費電力が負荷無しのワーストケースで6mA×30V=180mWですから、その温度差は、0.18×112=20.16℃になります。
周囲温度が55℃の場合、ジャンクションはおよそ70℃になるはずです。表面温度が90℃ということは、他に負荷電流等を取っていることが考えられますが、この条件のように実測90℃以上になっているのであれば、間違いなくジャンクションが動作範囲の85℃を越えていますので、性能は保証されません。 動作自身は、ジャンクション温度140℃が絶対最大定格となっていますので、この条件で即破壊することはありませんが、ジャンクション温度は100℃を超えるような動作をしているので、デバイス自身の信頼性に大きなリスクがあります。 
現実にパッケージ表面が90℃以上になるような動作であるならば、ヒートシンクやヒートメタルレイヤー、出力外部バッファ、電源電圧の低減、負荷の軽減などの何らかの処置することを強くお勧めします。

負荷が重い場合の消費電力計算方法に付きましては、日本語データシートの6ページをご参照ください。

注意:上記は「ADIS16XXX」シリーズには該当しません。

CMOSスイッチに電源が印加されていないときのスイッチの状態

Q:   CMOSアナログスイッチの電源ピンに電圧を入力していない状態で、スイッチ入出力間の導通はありますか。 それとも不定状態でしょうか。

A:   一般的なCMOSスイッチの各ピンは、ESD保護ダイオードにより各電源(VDDとVSS)に接続されています。VDD/VSSの電源が加わっていない状態で、DやSピンに電圧が加わると、このダイオードが導通して大電流が流れ、場合によってはダメージを受けることがあります。このピンの導通ということですが、テスターなどで測定すると、このESDダイオードを通して電流が流れるので、ある抵抗値を示します。(テスターの仕様により何Ωとは言えません) アナログスイッチがスイッチとして機能するのは、電源が正常に印加されているときだけです。

なお一部のFoullt Protection機能内蔵のCMOSスイッチは、電源オフの状態でもハイインピーダンスを保ち、以降の回路を保護するものもああります。

スイッチ切り替え時に意図しない電圧出力が一瞬あらわれる。

Q:   たとえばADG408で VSS -15V VDD +15V GND 0V とし、S1に信号。他のCHはGND電位とした場合、 S8からS1を選択した場合、瞬間的に出力に高い電圧が出力され、その後数100μSで、切り替えた信号の電圧に落ち着きます。原因はどのようなことが考えられるのでしょうか。

A:   原因としては、ADG408のチャージインジェクションと後段の回路の影響のふたつが考えられます。チャージインジェクションは内部スイッチの切り替えの際に、過渡的にゲート側より信号ラインに注入される(流れてくる)電荷です。この電荷がインピーダンスの高い出力ノード(たとえばバッファーアンプの入力)に加えられると、電圧の誤差となります。またマルチプレクサの出力が、差動電圧が制限されているようなバッフアンプ(たとえばOP27)に接続されている場合、過渡的な入力の変化によりアンプの+-入力端子間のバーチャルショートが崩れ、電位差が生じる事により、入力端子間に電流が流れて入力電圧に影響を与える場合があります。 このような場合にはアンプの出力と-入力間に抵抗を接続して流れる電流を制限して下さい。またADG408の出力とGND間に小さな(10pF程度)コンデンサーを接続してチャージインジェクションによる出力電圧の変化を低減する事をお勧めいたします。