FAQ

AD5201 - FAQ

電子ボリュームの各端子は、グランドショート可能でしょうか。

Q:   電子ボリュームのワイパー出力(W1端子)をトランジスタ、またはFETにより直接GNDへ短絡しようと考えています。この端子は、GND等にショートは可能でしょうか。

A:   電子ボリューム素子のワイパー端子(その他の端子も含めて)は電源 / グランド、あるいはそのほかの電源電圧範囲内の低インピーダンスソースに短絡することは可能です。ただしボリューム内部を通過してワイパーに流れる電流に制限があります。この電流は、絶対最大定格に対して十分余裕を持たせてください。信号入力のソースインピーダンスが低く、ワイパー位置がハイ側(信号入力側)に近い場合は、注意が必要です。

計装アンプのゲイン設定端子にデジタル・ポテンショメータは使用可能か?

Q:   計装アンプの利得設定端子(Rg端子)にデジタル・ポテンショメータは使用可能ですか?

A:   電源電圧が+5Vとなっているデジタル・ポテンショメータでは両電源で動作する計装アンプのゲイン抵抗として使用することは出来ません。 ±15V電源で動作可能なデジタル・ポテンショメータをゲイン抵抗として使用可能ですが、抵抗値の誤差が大きいため(±30%)正確なゲイン設定は得られません。

デバイスの電源がoffの時に、W(ワイパー)やA、B端子に電圧を印加することは可能ですか?

Q:   デバイスの電源がoffの時に、W(ワイパー)やA、B端子に電圧を印加することは可能ですか?(GNDは共通)

A:   ストレスにより破壊する危険がありますので、不可です。

O1, O2, SDOピンの処理方法

Q:  ワイパー値をサ-チし適正な抵抗値をEEPROMに書き込みます。電源オフにしても次にオンした時に自動で(コマンドいれずに電源オンのみで)記憶したワイパー値に設定します。 このときO1, O2, SDOピンは使用予定ではないのですがOPENにしていても問題ないですか。

A:  O1, O2, SDOを使用しない場合は、オープンでもかまいません。これらは全てオープンドレインの出力です。詳しくはAD5231英語のデータシートの15、16ページをご覧ください。

可変抵抗器として使用できる?

Q:  デジタルポテンショメータのAとWの端子を使って、抵抗値を使用したいのですが可能ですか。 通常A-B間をVCC-GNDとしてWで電圧を取出す事は理解しています。

A:  デジタルポテンショメータは、可変抵抗器として使用することが可能です。 ただし機械式のポテンショメータと異なり、A,BおよびWの端子に加わる電圧は電源電圧範囲内であることと、電源が入っていない時に各端子に電圧が加わってはいけないという制限があります。

WPピンとPRピンの使用目的

Q:  WPピンとPRピンは具体的にどういったピンですか?仕様書を見てもわかりません。使用する必要があるときプルアップ抵抗で電源につってGNDに落とせばよいのですか。もしそうなら適正な抵抗値はいくらですか。この使用方法は可能ですか?

A:  WPピンはEEMEMの内容が不用意に書き換えられないようにプロテクトするピンです。このピンをHにするとコマンドの1, 8およびPRの入力以外の指示を受け付けなくなります。HからLに戻す時は、NOP命令を入れてから戻してください。詳細はAD5231の英語のデータシート14ページの「EEMEM Protection」の項をご覧ください。使用しない場合はプルアップが必要です。抵抗値は2.5µAの入力電流に対して2.4V以上が確保できる値を選んでください。
PR入力がアクティブになると、RDACのスクラッチパッドレジスタの内容をEEMEMの内容でオーバーライド(書き込み)します。EEMEMの内容を電源オン時に設定するにはこの機能を使用します。詳しくはAD5231英語データシート8ページのピンの「Table 4. Pin Function Descriptions」、14ページ、16ページをご覧ください。使用しない時はWPと同じくプルアップが必要です。

使い方としては、電源オンのみでの設定は不可です。パワーオンリセット回路などで電源オン後にPRに信号を入れてやる必要があります。

デジポットの抵抗値の計り方

Q:  デジタル・ポテンショメーター(デジポット)の抵抗ラダー抵抗値を、テスターを使用し非通電状態で端子間を実測しようとしましたが測定できませんでした。

A:  デジポット・デバイスは、ポテンショメータ(可変抵抗)という意味合いではありますが、実際の内部はラダー抵抗がつながったDA変換器になっています。その点からしますと回路に電源を入れて動作させていないと、内部のトランジスタがオフ状態のままになっていますので、測定はできません。測定したい場合は、測定系を治具として作成し、それに差し込んで規定状態で電気通電し、抵抗を計測するということが一番良いと考えます。

ICの寿命や製品保証の資料は?

Q:  ± ICの寿命・製品保証に関する資料はありますか。故障率でも結構です。

A:   弊社で供給しております半導体製品の一般的な信頼性データは、弊社Webサイトから検索することが出来ます。また品質保証に関する資料等もこのサイトから検索することが出来ます。品質&信頼性のサイトから信頼性データや信頼性ハンドブック、FITレート、技術資料などをご覧ください。

Pwr Dissとは?

Q:   ± 仕様欄に表記されている"Pwr Diss(Max) 20mW"(一例)に関して用語の意味を教えてください。

A:   Pwr Diss(Max) 20mW ですが、Power Dissipationの略表示となっており、パラメータとしては消費電力となります。

外形寸法図のBSCとは?

Q:   ± データシーとの外形図に記されている「BSC」とは、どのような意味でしょうか。

A:    BaSiCの略です。公称値という意味です。

デシケータ管理条件

Q:  パッケージ開封後のデシケータ管理の条件について教えてください。管理状況によってベーキングが必要となるかと思います。その条件についても併せて教えてください。

A:  アナログ・デバイセズ製品に関しましては、湿度等の条件はJEDECのSTD–20Dを適用しております。(もともとご質問の製品は)その規定によりMSL(Moisuture Level)1と規定された製品です。MSL1のデバイスに対する取り扱いにつきましては、このJEDE STD–20Dをご参照ください。なおMSL1はもっとも管理が緩い製品レベルです。

使用温度の規定の見方は?

Q:  使用温度の考え方について。 JunctionTemp.とOperatingTemp. パッケージ表面温度はどちらの規定に従えばよいのでしょう? 周囲温度55度、パッケージ表面温度90度の場合、仕様は満たされると考えてよいのでしょうか?

A:  半導体デバイスの温度設計上、最も重要な規格は、ジャンクション温度です。消費電力の多いデバイスでは、その電力とパッケージの温度抵抗よりジャンクション温度を求めその温度が規定の範囲を越えているかどうかで、判断します。しかしながら消費電力の低いデバイスでは、パッケージ温度や周囲温度とジャンクション温度の差が大きくないのでこの様なデバイスの場合、動作保証温度=周囲温度という記述でデータシートに規定されています。たとえば、仮に消費電力が10mWのデバイスの場合、θjaが200℃/Wであったとしても、周囲温度とジャンクションの温度差は、2℃しかありません。このようなデバイスでは動作温度範囲=周囲温度とされています。
AD8253の場合θja=112℃/Wで、自己消費電力が負荷無しのワーストケースで6mA×30V=180mWですから、その温度差は、0.18×112=20.16℃になります。
周囲温度が55℃の場合、ジャンクションはおよそ70℃になるはずです。表面温度が90℃ということは、他に負荷電流等を取っていることが考えられますが、この条件のように実測90℃以上になっているのであれば、間違いなくジャンクションが動作範囲の85℃を越えていますので、性能は保証されません。 動作自身は、ジャンクション温度140℃が絶対最大定格となっていますので、この条件で即破壊することはありませんが、ジャンクション温度は100℃を超えるような動作をしているので、デバイス自身の信頼性に大きなリスクがあります。 
現実にパッケージ表面が90℃以上になるような動作であるならば、ヒートシンクやヒートメタルレイヤー、出力外部バッファ、電源電圧の低減、負荷の軽減などの何らかの処置することを強くお勧めします。

負荷が重い場合の消費電力計算方法に付きましては、日本語データシートの6ページをご参照ください。

注意:上記は「ADIS16XXX」シリーズには該当しません。