製品概要

機能と利点

  • 調整可能なデッド・タイム
  • 出力電圧範囲:最大35V
  • 接続を容易にするスクリュー端子
  • 外部直列ゲート抵抗のパッド配置
  • 容量性負荷テスト用のパッド配置
  • TO-220またはTO-252のIGBTまたはMOSFETをサポート
  • ブートストラップ・オプション
  • ハーフブリッジの設定が容易になるジャンパ配置

製品概要

EVAL-ADuM4221EBZはADuM4221ハーフブリッジ・ゲート・ドライバに対応しており、アナログ・デバイセズのiCoupler®技術を利用して、独立した絶縁ハイサイド/ローサイド出力を提供します。EVAL-ADuM4221EBZには、VIAおよびVIB入力とデッド・タイム制御機能を備えたADuM4221が塔載されています。EVAL-ADuM4221EBZは、様々な駆動条件を構成する、ジャンパとネジ端子を備えています。EVAL-ADuM4221EBZは、方形波およびVIA、VIB、DISABLEピンのDC値で動作します。

ADuM4221は2.5 V~6.5Vの入力電源で動作し、より低電圧のシステムとの互換性も備えています。入力ピンにおけるロジック・レベル電圧は、VOAおよびVOBの出力を制御します。ドライバには、ハイ・レベルが持続した場合に、チャンネルにおける入力に関係なくデバイスをシャットダウンさせる、DISABLE入力ピンが備わっています。基本的なオーバーラップ保護機能に加え、1次側のデッド・タイム(DT)ピンによって、VOAおよびVOB間の出力遷移によるデッド・タイムを調整できます。

ADuM4221は、2次側では最大35Vの電圧で動作します。EVAL-ADuM4221EBZは、ハイサイド電源をローサイド電源にブートストラップする機能を備えています。EVAL-ADuM4221EBZを使用すると、デバイスの伝搬遅延、駆動能力、デッド・タイム動作、入力ロジックのテストを容易に行うことができます。EVAL-ADuM4221EBZは、絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)および金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)用のフットプリントを、TO-220およびTO-252パッケージ内に備えているため、様々な電源デバイスでADuM4221の評価を実行できます。

EVAL-ADuM4221EBZを使用する際は、ADuM4221に関する全詳細について、このユーザー・ガイドと併せてADuM4221のデータシートを参照してください。

対象となる製品

Package Contents

EVAL-ADuM4221EBZ評価用ボード

はじめに

必要な装置

推奨試験装置

  • 1次側電源:100mAで0V~6.5V
  • 2次側電源(× 2):250mAで0V~35V
  • 矩形波ジェネレータ:0V~5V

購入

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価格は1個当たりの米ドルで、米国内における販売価格(FOB)で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。 また、その価格は変更されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。