熱特性

高効率で高性能な自社ICと周辺部品を最適にレイアウトし、さらに優れた熱特性のLGA/BGAパッケージを採用しています。 熱抵抗はヒートシンクなしでも最大接合温度125℃でわずか15.4℃/W(LTM8033)です。

パッケージ上部温度の比較
36VIN to 3.3VOUT、3A (周辺温度:20℃)

熱特性改善の例

VIN:50V、VOUT:24V、IOUT:1Aの条件の下

μModule製品 (LTM8027)

熱抵抗θJa=12.2℃/W
最大95%の高効率

Ta90℃ + 自己発熱=109℃

従来の他社FET内蔵製品

効率:94%とした場合 
パッケージ熱抵抗が40℃/W

Ta90℃ + 自己発熱=151℃


FET内蔵のモノリシックICでは、FETの発熱でパッケージが熱的に持ちません。

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