熱特性
熱特性改善の例
VIN:50V、VOUT:24V、IOUT:1Aの条件の下
μModule製品 (LTM8027)
熱抵抗θJa=12.2℃/W
最大95%の高効率
Ta90℃ + 自己発熱=109℃ |
従来の他社FET内蔵製品
効率:94%とした場合
パッケージ熱抵抗が40℃/W
Ta90℃ + 自己発熱=151℃ |
FET内蔵のモノリシックICでは、FETの発熱でパッケージが熱的に持ちません。
VIN:50V、VOUT:24V、IOUT:1Aの条件の下
熱抵抗θJa=12.2℃/W
最大95%の高効率
Ta90℃ + 自己発熱=109℃ |
効率:94%とした場合
パッケージ熱抵抗が40℃/W
Ta90℃ + 自己発熱=151℃ |
FET内蔵のモノリシックICでは、FETの発熱でパッケージが熱的に持ちません。