広帯域GaN MMICアンプHMC8205を発表
~コンパクトな設計で高ゲイン、高出力、高効率を実現~
2017年06月06日 - 東京アナログ・デバイセズ社(NASDAQ:ADI)は本日、コンパクトな設計でクラス最高レベルの性能を実現する、広帯域窒化ガリウム(GaN)パワー・アンプHMC8205 GaN MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit モノリシックマイクロ波集積回路)を発表しました。この高集積アンプは、300 MHz~6 GHzのスペクトラムに対応し、パルスや連続波(Continuous Wave)への対応が求められる無線インフラ、レーダー、移動無線機、汎用増幅試験装置などのシステム設計に役立ちます。また、比類のない高集積、ゲイン、効率、広帯域を小型フットプリントで実現できるため、外部回路が最小限で済み、部品点数や基板スペースを削減できます。
主な特長
- 高PSAT:46dBm
- 高ゲイン:20dB
- 高PAE:38%
- 瞬時帯域幅:0.3~6GHz
- 電源電圧:VDD 50V@1300mA
最適なアプリケーション
- 商業/軍事用レーダー
- 無線インフラ
- 試験/計測装置
HMC8205 GaN MMICアンプについて
HMC8205は、全瞬時帯域幅で最大44%の電力付加効率(Power Added Efficiency)を実現して35Wを出力しつつ、単一のパッケージに、DCフィード/RFバイアス・チョーク、DC阻止コンデンサおよびドライバ段を組み合わせています。また、パルスと連続波の双方で動作する点は、他の類似製品に無い特長です。
価格と提供時期
下記表中の価格は米国での価格です。製品
周波数
範囲
サンプル
出荷
量産
出荷
1,000個
受注時
の単価
パッケ
ージ
関連
部品
HMC8205 0.3~
6GHz出荷中
出荷中
469.00
ドルリード
・フランジ
・マウント
HMC637ALP5E
HMC8410LP2FE
HMC788ALP2E
- アナログ・デバイセズについて
アナログ・デバイセズは1965年の創業以来、高性能アナログで世界をリードし、さまざまな技術的課題を解決してきました。
世界にインパクトを与えるイノベーションを実現するために、私たちは最先端のセンシング、計測、パワーマネジメント、通信、信号処理技術でアナログとデジタルとの懸け橋となり、世界の動きをありのままに描き出します。
想像を超える可能性を―アナログ・デバイセズ analog.com/jp-
-
Editor's Contact Information
-
Linda Kincaid
Global PR Manager
linda.kincaid@analog.com
-
Linda Kincaid