セルラRFフロント・エンドを小型化、省電力化する シリコン・スイッチ新製品 ADRF5130を発表

2016年05月16日 - 東京

  • ADRF5130アナログ・デバイセズ社（NASDAQ：ADI）は本日、従来よりも小型かつ低バイアス電流のセルラ無線システム設計を可能にする、高出力（最大出力44W）単極双投（SPDT）シリコン・スイッチADRF5130を発表しました。 次世代通信インフラが大容量データへの対応を進める中、大量のデータ使用の要求に応えるには、セルラ無線のフロント・エンドにも、より小型で高速なものが強く求められています。 今回発表したアナログ・デバイセズのADRF5130スイッチは、外部コンポーネントを不要にする徹底した高集積化を実現し、こうした市場要求に応えました。また、既存のPINダイオード・ベースのソリューションと比べて消費電流が極めて小さく、単一の低電圧電源で動作するため、消費電力を低減して効率化します。本製品の製造には シリコンプロセスを利用し、4 mm × 4 mmという小型LFCSP SMTパッケージに格納されています。

     

    ADRF5130の主な特長と仕様

    • 周波数帯0.7 GHz～3.5 GHz
    • 挿入損失0.6 dB（typ）
    • 50 dBの高アイソレーション
    • 68 dBmを超える優れた直線性
    • 連続動作モードで44ワットのピーク電力対応

     

    全てのピンに、堅牢な2000 VESD保護を採用しています。 また、1マイクロ秒未満でスイッチングを行う、高速なCMOS互換制御インタフェースを採用しています。 さらに、高出力アプリケーションに対応した回路構成を用いています。

     

    価格と提供時期
    下記表中の価格は米国での価格です。

    製品
    		 サンプル
    出荷    		 量産出荷
    		 1,000個受注時
    の単価     		パッケージ
    ADRF5130BCPZ 出荷中
    		 2016年7月 10.04ドル 4 mm × 4 mm
    LFCSP
    ADRF5130-EVAL-Z N/A N/A 99ドル
    （1ユニット）     		評価用ボード

     

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    https://ez.analog.com/community/rf 

     


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