HMC994A-DIE
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HMC994A-DIE

GaAs、PHEMT、MMIC、1/2 W功率放大器芯片或功率放大器，DC至28 GHz或30 GHz

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特性
  • P1dB输出功率： +27 dBm，+28 dBm
  • PSAT输出功率： +29 dBm，+30 dBm
  • 增益： 13 dB，14 dB
  • 输出IP3： +36 dBm，+38 dBm
  • 电源电压： +10 V (250 mA)
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 裸片尺寸： 2.82 × 1.5 × 0.1 mm
  • 32引脚、5 × 5 mm、表贴技术(SMT)封装
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HMC994A器件为GaAs、单芯片微波集成电路(MMIC)和PHEMT分布式功率放大器，工作频率范围为DC到28 GHz或DC到30 GHz。 这些功率放大器提供13 dB或14 dB增益、+36 dB或+38 dB输出IP3，以及+27 dBm或+28 dBm输出功率（1 dB增益压缩），采用+10 V电源时功耗为250 mA。 这些器件的增益斜率使它们非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。 这些器件的输入/输出内部匹配50 Ω，可方便地集成至多芯片模块(MCM)。

该功率放大器采用无铅、QFN、5 × 5 mm表贴封装。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mil)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。

应用

  • 测试仪器仪表
  • 微波无线电和VSAT
  • 军事和航天
  • 电信基础设施
  • 光纤产品

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HMC994A-DIE

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更新 08/07/2023
英文

HMC994A: GaAs pHEMT MMIC 0.5 Watt Power Amplifier, DC - 30 GHz Data Sheet

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更新 05/13/2020
英文
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers redirect icon

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更新 05/13/2020
中文
利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 redirect icon

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更新 11/30/2020
英文
AN-2061: Wideband Bias Tee Design Using 0402, SMD Components redirect icon

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更新 11/30/2020
日文
AN-2061: 0402 SMD 部品を使った広帯域バイアス・ティーの設計 redirect icon

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更新 08/01/2019
英文
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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更新 08/01/2019
中文
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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更新 08/01/2019
日文
AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算 redirect icon

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产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC994A CHIPS OR DIE
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HMC994A-SX CHIPS OR DIE
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