HMC1118
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HMC1118
推荐新设计使用
高隔离SPDT非反射开关、9 kHz - 13 GHz
- 产品模型
- 2
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产品详情
- 非反射50Ω设计
- 正控制电压： 0/+3.3V
- 低插入损耗： 0.68 dB (8.0 GHz时)
- 高隔离度： 48 dB (8.0 GHz时)
- 高功率处理：
- 35 dBm（通过路径）
- 27 dBm（端接路径）
- 高线性度：
- 1 dB压缩(P1dB)：37 dBm（典型值）
- 输出三阶交调截点(IIP3)：62 dBm（典型值）
- ESD额定值： 2kV 人体模型(HBM)
- 3 x 3 mm 16引脚LFCSP封装
- 无低频杂散
- 建立时间（最终RFOUT的0.05 dB裕量）：7.5 μs
HMC1118是一款通用、宽带、非反射式单刀双掷(SPDT)开关，采用LFCSP表贴封装。该开关频率范围为9 kHz至13.0 GHz，具有高隔离度和低插入损耗。该开关具有48 dB以上的隔离性能，8.0 GHz及以下频率时的插入损耗为0.68 dB，最终RFOUT的0.05 dB裕量的建立时间为7.5 μs。该开关采用+3.3 V和0 V的正控制电压逻辑线路工作，需要+3.3 V和−2.5 V电源供电。仅施加一个正电源电压而负电源电压(VSS)接地时，HMC1118的工作频率范围不变，并且仍能保持良好的功率处理性能。该器件采用3 mm × 3 mm表贴LFCSP封装。
应用- 测试仪器仪表
- 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
- 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
- 光纤和宽带电信
参考资料
数据手册 1
应用笔记 1
技术文章 1
产品亮点 1
申请保密协议
视频 6
产品选型指南 1
产品亮点 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC1118LP3DE | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) | ||
| HMC1118LP3DETR | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
|
4月 19, 2022 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products |
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| HMC1118LP3DE | 量产 | |
| HMC1118LP3DETR | 量产 | |
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| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
| ADRF5019 | 推荐新设计使用 | 100 MHz 至 13 GHz 硅 SPDT 非反射式开关 |
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S-参数 1
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