ADRF5730
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ADRF5730

0.5 dB LSB、6位硅数字衰减器,100 MHz至40 GHz

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产品详情
产品模型 2
特性
  • 超宽带频率范围:100 MHz至 40 GHz
  • 衰减范围:0.5 dB 步进至 31.5 dB
  • 具有阻抗匹配的低插入损耗
    • 2.1 dB,最高为 18 GHz
    • 2.9 dB,最高为 26 GHz
    • 4.8 dB,最高为 40 GHz
  • 具有阻抗匹配的衰减精度
    • ±(0.10+1.0% 的衰减状态),最高 18 GHz
    • ±(0.15+0.8% 的衰减状态),最高 26 GHz
    • ±(0.35+2.5% 的衰减状态),最高 40 GHz
  • 具有阻抗匹配的典型步进误差
    • ± 0.18 dB,最高为 18 GHz
    • ± 0.23 dB,最高为 26 GHz
    • ± 0.51 dB,最高为 40 GHz
  • 高输入线性度
    • P0.1dB 插入损耗状态:30 dBm
    • P0.1dB 其他衰减状态:27 dBm
    • IP3:50 dBm(典型值)
  • 高RF输入功率处理:27 dBm 平均值,30 dBm 峰值
  • 相对相位中的紧凑分布
  • 无低频开关杂散
  • SPI 和并行模式控制,CMOS / LVTTL 兼容
  • RF建立时间(0.1 dB 最终 RF 输出):250 ns
  • 24 引脚、4 mm × 4 mm LGA 封装
  • 与ADRF5720引脚兼容,低频截止版本
更多细节
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ADRF5730 是一款硅、6 位数字衰减器,以 0.5 dB 步长提供 31.5 dB 的衰减控制范围。

该器件的工作频率范围为 100 MHz 至 40 GHz,提供优于 4.8 dB 的插入损耗和出色的衰减精度。在所有状态下,ADRF5730 具有 27 dBm(平均值)和 30 dBm(峰值)的射频(RF)输入功率处理能力。

ADRF5730 需要 +3.3 V 和 −3.3 V 双电源电压供电。该器件具有串行外设接口(SPI)、并行模式控制和互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5730与ADRF5720引脚兼容,低频截止版本,工作频率范围为 9 kHz 至 40 GHz。

ADRF5730 RF 端口设计用于匹配 50 Ω 的特征阻抗。对于宽带应用,RF 传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗、回波损耗和衰减精度特性。

ADRF5730 采用符合 RoHS 标准的 24 引脚、4 mm × 4 mm、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围为 −40°C 至 +105°C。

应用

  • 工业扫描仪
  • 测试和仪器仪表
  • 蜂窝基础设施:5G毫米波
  • 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
  • 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
产品模型 2

产品技术资料帮助

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参考资料

参考资料

产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
ADRF5730BCCZN
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ADRF5730BCCZN-R7
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软件和型号相关生态系统

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评估套件

评估套件 1

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EVAL-ADRF5730

ADRF5730评估板

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EVAL-ADRF5730

ADRF5730评估板

产品详情

ADRF5730-EVALZ是一款4层评估板。每个铜层厚0.7 mil(0.5盎司),由电介质材料隔开。


所有RF和直流走线布设在顶部铜层上,而内层和底层均为接地层,为RF传输线路提供实心接地层。顶部电介质材料为8 mil Rogers RO4003,提供优质高频性能。中间和底部电介质材料可提供机械强度。电路板总厚度为62 mil,以便在板边缘连接2.4 mm RF启动器。

工具和仿真

工具及仿真模型 3

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