ADR435
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ADR435

超低噪声XFET基准电压源,具有吸电流和源电流能力

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产品详情
特性
  • 低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz):3.5 µV p-p(2.5 V输出)
  • 无需外部电容
  • 低温度系数
    • A级:10 ppm/°C(最大值)
    • B级:3 ppm/°C(最大值)
  • 负载调整率:15 ppm/mA
  • 电压调整率:20 ppm/V
  • 宽工作温度范围:7.0 V至18 V
  • 欲了解更多特性,请参考数据手册

ADR435-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)

  • 下载 ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP数据手册(pdf)
  • 军用温度范围(−55℃至+125℃)
  • 受控制造基线
  • 封装/测试厂
  • 制造厂
  • 增强型产品变更通知
  • 认证数据可应要求提供
  • V62/11602 DSCC图纸号
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ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术,可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至低点。

与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出高达30 mA,最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚,可以在±0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。

应用

  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率数据转换器
  • 医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 光学控制电路
  • 精密仪器

产品技术资料帮助

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参考资料

参考资料

产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
ADR435ARMZ
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ADR435ARMZ-REEL7
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ADR435ARZ-REEL7
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PCN

10月 26, 2015

- 15_0176

Assembly Transfer of Select 8/10L MSOP Products to Amkor Philippines

5月 15, 2012

- 10_0006

Halogen Free Material Change for mini SOIC Products

7月 20, 2012

- 12_0105

Halogen Free Material Change for Select SOIC Narrow and Wide Body Products Assembled at Amkor

ADR435ARZ

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ADR435ARZ-REEL7

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软件和型号相关生态系统

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参考电路

参考电路 6

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具有270 V共模抑制性能的双向隔离式高端电流检测模块

采用PMU AD5522及16位ADC AD7685的ATE应用参数测量单元和支持器件

针对高达 1 kHz 低于奈奎斯特频率输入信号优化的16 位、100 kSPS 低功耗数据采集系统

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cn0306

针对高达 1 kHz 低于奈奎斯特频率输入信号优化的16 位、100 kSPS 低功耗数据采集系统

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参考设计

tooltip Info:参考设计
针对高达 1 kHz 低于奈奎斯特频率输入信号优化的16 位、100 kSPS 低功耗数据采集系统

特性和优点

  • 16位、100kSPS SAR ADC系统
  • 优化低功耗驱动放大器
  • 输入信号最高可达1kHz
查看参考设计详情 external link

设计和集成工具

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Simplified Receiver Subsystem for Magnitude and Phase Measurements

RF至位解决方案可提供6 GHz信号的精密相位和幅度数据

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