ADR433
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ADR433

超低噪声、3.0V XFET®基准电压源,具有吸电流和源电流能力

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产品详情
特性
  • 低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz): 3.5 µV p-p(2.5 V输出)
  • 无需外部电容
  • 低温度系数
    A级: 10 ppm/℃(最大值)
    B级: 3 ppm/℃(最大值)
  • 负载调整率: 15 ppm/mA
  • 线性调整率: 20 ppm/V
  • 宽工作电压范围:
    ADR430: 4.1 V至18 V
    ADR431: 4.5 V至18 V
    ADR433: 5.0 V至18 V
    ADR434: 6.1 V至18 V
    ADR435: 7.0 V至18 V
  • 高输出源电流和吸电流: +30 mA和-20 mA
  • 宽工作温度范围: -40 ℃至+125 ℃


更多细节
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ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术,可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出最高达30 mA,最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚,可以在±0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。   

应用

  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率数据转换器
  • 医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 光学控制电路
  • 精密仪器
  •  

    提示:
    技术文章: 高性能心电图(ECG)信号调理

    产品技术资料帮助

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    参考资料

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    产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
    ADR433ARMZ
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    ADR433ARMZ-REEL7
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    PCN

    10月 26, 2015

    - 15_0176

    Assembly Transfer of Select 8/10L MSOP Products to Amkor Philippines

    5月 15, 2012

    - 10_0006

    Halogen Free Material Change for mini SOIC Products

    11月 23, 2010

    - 10_0004

    Halogen Free Material Change for SOIC Narrow Body Products Assembled at Amkor

    ADR433ARZ

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    ADR433ARZ-REEL7

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