ADR431
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ADR431

超低噪声XFET基准电压源,具有吸电流和源电流能力

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产品详情
特性
  • 低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz):3.5 µV p-p(2.5 V输出)
  • 无需外部电容
  • 低温度系数
    • A级:10 ppm/°C(最大值)
    • B级:3 ppm/°C(最大值)
  • 负载调整率:15 ppm/mA
  • 电压调整率:20 ppm/V
  • 宽工作温度范围:4.5 V至18 V
  • 欲了解更多特性,请参考数据手册
ADR431-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)
  • 下载ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP数据手册(pdf)
  • 军用温度范围(−55℃至+125℃)
  • 受控制造基线
  • 唯一封装/测试厂
  • 唯一制造厂
  • 增强型产品变更通知
  • 认证数据可应要求提供
  • V62/11602 DSCC图纸号
更多细节
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ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术,可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至低点。

与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出高达30 mA,最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚,可以在±0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。


应用

  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率数据转换器
  • 医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 光学控制电路
  • 精密仪器

产品技术资料帮助

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参考资料

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ADR431ARMZ
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ADR431ARMZ-REEL7
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10月 26, 2015

- 15_0176

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5月 15, 2012

- 10_0006

Halogen Free Material Change for mini SOIC Products

11月 23, 2010

- 10_0004

Halogen Free Material Change for SOIC Narrow Body Products Assembled at Amkor

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参考电路 1

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