ADR425
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ADR425

超精密、低噪声、5.00 V XFET® 基准电压源

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特性
  • 低噪声(0.1 Hz至10 Hz)
    ADR420: 1.75 μV 峰峰值
    ADR421: 1.75 μV 峰峰值
    ADR423: 2.0 μV峰峰值
    ADR425: 3.4 μV峰峰值
  • 低温度系数:3 ppm/°C
  • 长期稳定性:50 ppm/1000小时
  • 负载调整率:70 ppm/mA
  • 电压调整率:35 ppm/V
  • 低迟滞:40 ppm(典型值)
  • 宽工作电压范围
    ADR420: 4 V 至 18 V
    ADR421: 4.5 V 至18 V
    ADR423: 5 V 至18 V
    ADR425: 7 V 至 18 V
  • 静态电流:0.5 mA(最大值)
  • 高输出电流:10 mA
  • 宽温度范围:−40°C至+125°C
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ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源,具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性,采用SOIC和MSOP封装。                                

利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术,可以使电压随温度变化的非线性度降至低点。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比,还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。

ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度,适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚,在±0.5%范围内调整输出电压,其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级,额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围,提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装(后者比前者小30%)。

应用

  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率转换器
  • 电池供电仪器仪表
  • 便携式医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 精密仪器
  • 光纤网络控制电路
  • 数据手册, Rev. H, 6/07

    产品技术资料帮助

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    参考资料

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    5月 15, 2012

    - 10_0006

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    - 10_0165

    ADR42X Front End Manufacturing Change

    ADR425ARMZ

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    ADR425ARMZ-REEL7

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    ADR425ARZ

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    11月 23, 2010

    - 10_0004

    Halogen Free Material Change for SOIC Narrow Body Products Assembled at Amkor

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