解密RF訊號鏈—第2部分:基本建構模組

作者:ADI現場應用工程師Anton Patyuchenko


分立式和整合式元件是構成各個應用領域的RF訊號鏈的基礎功能性建構模組。在本系列文章的 第一部分 ,我們討論了用於表徵系統的主要特性和性能指標。然而,為了達到期望的性能,RF系統工程師還必須對各類RF元件有充分的瞭解,RF元件的選擇將決定最終應用中完整RF訊號鏈的整體性能。

第2部分將概述典型RF訊號鏈中使用的不同元件的主要類型,如圖1所示。我們的討論將限於最常見的RF積體電路(IC),並依賴於與系統級訊號鏈定義相關的分類標準。該評估包括RF放大器、頻率產生IC、倍頻器和分頻器、混頻器、濾波器和開關,以及衰減器和檢波器。本文可以作為RF系統設計人員為目標應用選擇合適建構模組的指南。

Figure 1. A generic RF signal chain.
圖1.一個通用RF訊號鏈。 

RF放大器

放大器的主要功能,主要是提高輸入訊號的功率水準,以在輸出端產生更大的訊號。任何 RF放大器 的主要特性就是其增益,它描述了輸出功率與輸入功率之比。然而,最優放大器設計總是其增益、雜訊、頻寬、效率、線性度和其他性能參數的權衡結果。將這些特性作為主要分類標準,我們可以區分各種類型的放大器,從而為具體應用場景提供優化的性能。

低雜訊放大器(LNA) 經過優化,目的在提高低功率訊號的位準而不引入顯著的雜訊。良好LNA在sub-GHz範圍內的雜訊係數(NF)可以小於1 dB,在較高頻率下為幾dB。訊號鏈的整體雜訊係數由前幾級主導,因此LNA常常用於接收器的前端以使其靈敏度最大化。相反的, 功率放大器(PA) 通常用於發射訊號鏈的輸出級。其針對功率處理進行了優化,以高效率提供高輸出功率,同時保持低發熱量。

高IP3或高線性度放大器具有與PA相似的特性,提供高動態範圍性能。然而,這種類型的放大器針對線性度進行了優化,在使用高峰均功率比的訊號的應用中優於PA。例如,在依賴向量調變訊號的通訊系統中,高線性度放大器可以使失真最小化,這對於實現低誤碼率非常重要。

可變增益放大器(VGA) 也是針對高動態範圍應用,但能支援寬廣範圍的訊號位準。VGA透過增益調節來控制發射訊號幅度或調整接收訊號幅度,從而適應訊號變化。如果資料匯流排可提供控制參數,並且逐步增益調整對於應用不那麼重要,那麼應選擇 數位控制VGA 。當沒有數位控制資料可用或應用不能容忍階躍干擾時, 類比控制VGA 是首選解決方案。VGA常常用於自動增益控制(AGC),或用於補償其他元件的溫度或特性變化所導致的增益漂移。

如果LNA、PA、VGA和其他類型的RF放大器設計為在寬頻率範圍(高達數個倍頻程)內工作,那麼這些放大器也可以歸類為 寬頻放大器 。此類放大器提供寬頻放大和中等增益,常常用於寬頻應用中主訊號路徑的前端級。寬頻放大器常常依賴於分散式放大器電路設計,並提供大的增益頻寬乘積,但通常要付出效率和雜訊方面的代價。

有些RF放大器也屬於一般類別的 驅動放大器 (或亦即驅動器)。驅動器是用於控制訊號鏈中的另一元件(如第二放大器、混頻器、轉換器或其他元件)的放大器。驅動放大器的主要功能是調節某些工作參數,以確保相連元件擁有最佳工作條件。驅動放大器不一定要設計為驅動特定元件,但如果其用途是完成某種驅動功能,則任何RF放大器都可以被視為驅動器。類似地,我們還有一般類別的緩衝放大器(或者就是緩衝器),其用於防止訊號源受負載影響。例如,緩衝放大器常用於將本振與負載隔離,以使負載阻抗變化對振盪器性能的不利影響最小化。

考慮經典的超外差架構,在廣泛的RF放大器中,我們還可以區分出本振(LO)放大器和中頻(IF)放大器。這些放大器的主要區別是其在訊號鏈中的功能目的。LO放大器用於LO路徑,以確保混頻器(通常被稱為LO驅動器或LO緩衝器)具有所需的LO驅動位準,而IF放大器則設計為較低頻率工作,因而是訊號鏈中頻級的首選解決方案。

增益模組 是另一種一般類型的放大器,可用於RF、IF或LO訊號路徑,能夠提供良好的增益平坦度和回波損耗。其設計常常包含內部匹配和偏置電路,因而只需極少的外部元件便可整合到訊號鏈中,整合工作得以簡化。增益模組放大器可以滿足一般用途和特殊用途需要,覆蓋各種頻率、頻寬、增益和輸出功率水準。

RF放大器的多樣性當然不限於本文中討論的。基於放大器特性,我們還有許多其他類型的RF放大器,其提供不同的性能特徵組合,這裡僅舉幾個例子:限幅放大器在寬廣輸入功率範圍內提供穩定的壓縮輸出功率, 低相位雜訊放大器 針對高訊號完整性應用進行了優化,對數放大器本質上就是實現RF檢波功能的RF-DC轉換器(請參考「RF檢波器」部分)。表1總結了我們所討論的主要放大器類型。

表1.RF放大器的一些主要類型總結
放大器類型 區別性特性
低雜訊放大器 放大低功率訊號,引入的雜訊極小
功率放大器 以高效率提供高輸出功率
高IP3放大器 為高波峰因數的訊號提供高線性度性能
可變增益放大器 透過提供可調增益來處理寬廣範圍的訊號位準
寬頻放大器 在寬廣範圍的頻率上工作
驅動放大器 調節相連元件的工作條件
緩衝放大器 使負載阻抗變化對訊號源的影響最小化
增益模組 提供良好的增益平坦度和回波損耗,所需外部元件極少
限幅放大器 在寬輸入範圍內提供穩定的壓縮輸出功率
低相位雜訊放大器 加性相位雜訊極小

RF放大器還可以基於其他標準進行分類,例如特性、工作模式(放大器類別)、裝配或製程技術,其完整分類超出了本文的範圍。但是,本節從RF訊號鏈架構定義出發,討論了產業中採用的一些最常見類型的RF放大器。

頻率產生IC

頻率產生元件可以服務於RF訊號鏈中的各種不同功能,包括頻率轉換、波形合成、訊號調變和時脈訊號產生。根據IC的目標使用場景,有一些性能指標決定了其選擇,包括輸出頻率範圍、頻譜純度、穩定性和調諧速度。針對不同使用場景,有廣泛的頻率產生元件可供選擇,其中包括電壓控制振盪器(VCO)、鎖相迴路(PLL)、整合頻率合成器、轉換迴路和直接數位頻率合成(DDS) IC。

電壓控制振盪器(VCO) 產生輸出訊號,其頻率由外部輸入電壓控制。VCO的內核可以是基於不同類型的諧振器。使用高品質諧振器的單核VCO可在有限頻率範圍內提供低相位雜訊性能,而較低品質的振盪器以寬頻操作為目標,雜訊特性很一般。使用多個切換式高品質諧振器電路的多頻段VCO是一種替代解決方案,既支援寬頻操作,又能提供低相位雜訊性能,但其代價是調諧速度較慢,因為切換不同的核需要時間。VCO通常與鎖相迴路配合使用。

鎖相迴路(PLL) 或PLL頻率合成器可確保許多頻率合成和時脈恢復應用所需的VCO輸出頻率穩定。如圖2a所示,PLL包含鑒相器,其將VCO頻率的N分頻與參考頻率進行比較,並使用該差值輸出訊號調節施加於VCO調諧線路的DC控制電壓。這使得任何頻率漂移都能得到即時校正,因而振盪器能夠保持穩定操作。典型的PLL IC包含誤差檢測器——具有電荷泵的鑒頻鑒相器(PFD)——和回饋分頻器(參見圖2a中的虛線區域),另外還需要外部迴路濾波器、參考頻率和VCO以構成一個完整的回饋系統,從而產生穩定的頻率。使用整合VCO的頻率合成器IC可以大幅簡化該系統的建置。1

整合VCO的頻率合成器 將PLL和VCO組合在單一封裝中,只需要外部參考和迴路濾波器就能實現所需的功能。整合式PLL頻率合成器是一種多功能解決方案,具有廣泛的數位控制設定,支援產生精準頻率。其常包含整合功率分路器、倍頻器、分頻器和追蹤濾波器,頻率覆蓋範圍超越了VCO的基頻範圍,達到數個倍頻程。所有這些元件的內在參數決定了輸出頻率範圍、相位雜訊、抖動、鎖定時間和其他表示頻率合成電路總體性能的特性。

轉換迴路 是基於PLL概念的另一類頻率合成器,但採用不同的方法實現。如圖2b所示,其回饋迴路中使用的是整合下變頻混頻級,而不是N分頻器,迴路增益設定為1,帶內相位雜訊極小。轉換迴路IC(參見圖2b中的虛線區域)專為對抖動高度敏感的應用而設計,並與外部PFD和LO組合使用,以精巧的尺寸實現完整的頻率合成解決方案,提供儀錶級性能。

直接數位頻率合成(DDS) IC是整合PLL頻率合成器的替代方案,採用不同的原理實現。基本DDS架構的原理圖如圖2c所示。它是一種數位控制系統,包括表示時脈訊號的高精度參考頻率、創建目標波形數位版本的數位控制振盪器(NCO)以及提供最終類比輸出的數位類比轉換器(DAC)。DDS IC提供快速跳頻、精細的頻率和相位解析度以及低輸出失真,因此特別適合於卓越雜訊性能和高頻率捷變性非常重要的應用。2

Figure 2. Simplified block diagrams of the (a) phase-locked loop, (b) translation loop, and (c) direct digital synthesizer.
圖2.(a) 鎖相迴路、(b) 轉換迴路、(c) 直接數位頻率合成器的簡化框圖。

頻率產生元件廣泛用於對性能有不同要求的應用。例如,通訊系統需要低帶內雜訊以維持低誤差向量幅度(EVM),頻譜分析儀依賴於具有快速鎖定時間的本振來實現快速頻率掃描,高速轉換器需要低抖動時脈以確保高SNR性能。

倍頻器

當基頻振盪器 不能覆蓋所需頻率範圍時,使用倍頻器可以產生更高的頻率。這些元件利用其元件的非線性特性來產生輸出訊號,其頻率是輸入訊號的諧波。根據目標輸出諧波的階數,我們可以區分出二倍頻器、三倍頻器和四倍頻器,以及更高階的倍頻器。

用於實現頻率倍增的非線性元件有不同類型,因而我們可以區分出依賴於二極體電路的被動倍頻器和使用電晶體的主動倍頻器。主動倍頻器需要外部直流偏置,但相對於被動元件,它有若干明顯優勢,包括轉換增益、較低的輸入驅動位準和更好的基波與雜散頻率抑制。

倍頻器IC常常與VCO一起廣泛用於PLL頻率合成器設計中或作為本振訊號路徑的一部分,提供簡單且廉價的頻率倍增解決方案。然而,所有類型的倍頻器都存在一個相同的缺點:相位雜訊性能會隨著倍頻係數N而惡化至少20log(N) dB。例如,二倍頻器會使相位雜訊水準增加至少6 dB,這在高速轉換器時脈和其他對相位雜訊與抖動敏感的應用中可能很嚴重。3

分頻器和預分頻器

分頻器 將較高輸入頻率變為較低輸出頻率。如今,大部分此類元件是使用二進位計數器或移位暫存器實現的數位電路。它們廣泛包含於時脈分配電路和PLL頻率合成器設計中,應用眾多。分頻器可以有固定的分頻比(這種分頻器也稱為預分頻器)或可編程的分頻比。將頻率N分頻可以使輸出訊號的相位雜訊改善20log(N) dB。然而,這種改善受分頻器本身的加性相位雜訊(源於其主動電路且會增加到其輸出端)限制。良好的分頻器具有低加性相位雜訊和低諧波成分,這些都是其關鍵特性。

RF混頻器

基本形式的 RF混頻器 是一個3埠元件,使用非線性或時變元件產生一個包含兩個輸入訊號的 和頻率與差頻率的輸出訊號。RF混頻器可以一般地區分為被動混頻器和主動混頻器。被動混頻器使用二極體元件,或將FET晶體管用作開關,而主動混頻器依賴於電晶體電路來實現變頻。被動混頻器可以提供寬頻寬和高線性度性能,不需要外部直流偏置,而且雜訊係數一般優於主動混頻器。但是,被動混頻器存在轉換損耗,並且需要高LO輸入功率,而主動混頻器能提供增益,所需的LO驅動位準要低得多。實現下變頻器或上變頻器的替代設計可以將被動混頻器核和主動電路結合以提供轉換增益,而不會損害NF和線性度。4

混頻器IC具有很多不同設計,最基本的是單端(或不平衡)。基於二極體的單端混頻器的概念拓撲如圖3a所示。單端混頻器僅使用一個非線性元件來實現頻率轉換,這種解決方案很簡單,但性能有限,因為埠和高雜散之間的隔離很差。平衡式混頻器設計利用其電路的對稱性來克服上述限制。根據對稱程度,平衡式混頻器可以分為單平衡、雙平衡和三平衡混頻器。單平衡混頻器(參見圖3b)由兩個以90°或180°混合方式結合的不平衡混頻器組成。此類混頻器提供高LO-RF隔離,可抑制RF或LO訊號以及輸出端的偶數次LO諧波。使用各類雙平衡混頻器可以進一步改善性能。圖3c顯示了一個常見例子,其四環配置使用了四個蕭特基二極體,RF和LO埠均放置有混合元件。雙平衡混頻器提供高整體性能和良好的埠間隔離,能夠抑制RF和LO頻率以及所有偶數次RF和LO諧波,因而是廣泛使用的一類RF混頻器IC5。三平衡混頻器可以實現更高的隔離度和線性度。此類混頻器將兩個雙平衡設計組合起來,形成更高程度的對稱性以優化變頻過程,但代價是電路複雜度明顯提高。

Figure 3. Conceptual topology of a (a) single-ended, (b) single balanced, (c) double balanced, and (d) image reject mixer.
圖3.(a) 單端、(b) 單平衡、(c) 雙平衡和 (d) 鏡像抑制混頻器的概念拓撲

同相正交(I/Q)混頻器 是單獨的一類平衡設計。I/Q混頻器利用相位抵消來消除干擾鏡像訊號,而無需外部濾波。普通I/Q混頻器在下變頻模式(參見圖3d)下通常可以用於鏡像抑制混頻器(IRM),在上變頻模式下可以用作單邊帶(SSB)混頻器。整合緩衝器和驅動放大器的I/Q混頻器僅針對兩種工作模式中的一種而設計,因而可以將其區分為 I/Q下變頻器 I/Q上變頻器。這些混頻器與另一類頻率轉換IC密切相關,稱為 I/Q調變器和I/Q解調器。I/Q調變器和I/Q解調器提供一個配合資料轉換器使用的高阻抗差分基頻介面,因而非常適合於直接變頻收發器應用。具體而言,它們構成了現代高整合度RF收發器IC的核心。6

簡要提及一類常見混頻器是 次諧波混頻器。其採用次諧波泵本振,為使用較低LO頻率而無外部倍頻器的高頻RF設計提供了一種簡單的解決方案。

還有許多其他類型的RF混頻器實現依賴於主動和被動技術。RF混頻器IC可以使用複雜的架構,其在一個封裝中整合各種元件,包括PLL/VCO、放大器、倍頻器、衰減器和檢波器,並提供數位介面以控制其功能。

RF濾波器

RF濾波器IC幾乎在每種RF應用中都有使用,它能在頻譜(通常還包括非線性訊號鏈內產生的干擾雜散成分和源自外部的帶外訊號)中選擇所需的頻率。因此,這種濾波器的關鍵功能是為目標通帶頻率提供最小衰減,並為阻帶頻率提供最大衰減以抑制不需要的訊號。圖4顯示了常見類型的濾波器頻率回應,包括低通濾波器(LPF)、高通濾波器(HPF)、帶通濾波器(BPF)和阻帶濾波器(如果阻帶較窄,也稱為陷波濾波器)。

大多數RF應用需要跨多個頻段濾波,這可以利用切換式濾波器庫實現。此類解決方案在一個模組中包含切換和固定頻寬濾波器,可以在阻帶抑制、線性動態範圍和切換速度方面提供卓越的性能。然而,傳統切換式濾波器庫的頻段選擇能力有限,而且通常龐大且昂貴。具有連續類比或數位調諧功能的精巧型 可調濾波器IC 克服了這些限制,對於許多應用中的多頻段操作,它是切換式固定濾波器庫的有吸引力的替代方案。類比可調濾波器提供電壓控制來調整中心和/或截止頻率,而數位可調濾波器的期望特性可以透過數位控制介面來配置。可調諧濾波器可以提供優異的傳輸頻帶特性、良好的阻帶抑制、寬調諧範圍和快速建立時間,滿足目前廣泛RF應用的苛刻要求。

Figure 4. Filter frequency responses: (a) low-pass filter, (b) high-pass filter, (c) band-pass filter, and (d) band-stop filter.
圖4.濾波器頻率回應:(a) 低通濾波器,(b) 高通濾波器,(c) 帶通濾波器,(d) 帶阻濾波器

RF開關

RF開關 是用於路由高頻訊號透過訊號鏈的控制元件。其關鍵功能可以利用不同類型的開關元件實現,包括PIN二極體、FET電晶體或微機械懸臂梁。根據開關元件的佈置方式,切換設計可以有不同數量的「刀」(由開關控制的單獨電路)和「擲」(開關可以為每個「刀」使用的單獨輸出路徑)。單刀n擲(SPnT)開關將訊號從一個輸入路由到n個輸出。例如,單刀單擲(SPST)開關將一個輸入連接到一個輸出,提供簡單的開關功能;單刀雙擲(SPDT)開關將一個輸入連接到兩個輸出(參見圖5a);單刀四擲(SP4T)開關將輸入訊號路由到四個輸出路徑(參見圖5b)。RF開關還可以有多個「刀」,此類開關稱為轉換開關(參見圖5c)。最常見的例子是雙刀雙擲(DPDT)配置,其具有兩個單獨的電路,這些電路可以連接到兩個輸出路徑中的一個。

RF開關設計可以有更複雜的拓撲結構,其將多個較低階的開關組合在一起。此類IC稱為開關矩陣或交叉點開關,可在多個輸入和多個輸出之間提供靈活的RF訊號路由。

Figure 5. Examples of RF switches: (a) absorptive SPDT, (b) reflective SP4T, and (c) control transfer switch with a truth table example. (Note: RFC = RF common port, CTRL = control voltage port).
圖5.RF開關示例:(a) 吸收式SPDT、(b) 反射式SP4T和 (c) 控制轉換開關及真值表示例。(注意:RFC = RF公共埠,CTRL = 控制電壓埠)。

無論開關配置如何,我們都可以區分出反射式開關和吸收式開關(也稱為非反射式或端接開關)。其主要區別在於,吸收式開關包含一個匹配負載,用於端接關斷狀態下的輸出埠,以使電壓駐波比(VSWR)最小(參見圖5a)。此特性使得吸收式開關在兩種切換模式下均能保持良好的回波損耗,這是反射式開關所不能提供的。然而,與反射式開關相比,吸收式開關的這個優點的代價是功率處理能力較低且電路複雜性較高。

RF開關IC可以採用多種不同技術實現,包括矽基半導體CMOS和SOI、化合物半導體GaAs和GaN以及微機電系統(MEMS)7,8。每種技術在頻率範圍、功率處理能力、隔離、插入損耗、切換速度、建立時間等關鍵性能規格方面都有自己的優缺點。例如,GaAs的高溫性能更優越,GaN廣泛用於高功率應用,矽基製程在建立時間、整合能力、低頻特性和高ESD穩固性等方面勝出7。替代性MEMS技術在很小的晶片級封裝中提供微機械繼電器,獨特地支援直流精度性能,具有高線性度和功率,而切換速度、有限週期壽命和熱切換限值方面較差。

RF衰減器

RF衰減器 可降低RF訊號的強度,實現與放大器相反的功能。它是用於調整訊號鏈中的增益和平衡訊號位準的控制元件。RF衰減器IC通常是吸收式(傳輸型)元件。我們可以一般地區分出 固定衰減器(具有不變的衰減水準)和可變衰減器(支援調整衰減水準)。具有一組離散衰減水準的可變衰減器IC稱為 數位步進衰減器(DSA),其通常用於訊號粗略校準,受預定衰減步長的限制。 電壓可變衰減器(VVAS) 用於控制精細訊號。與DSA相反,VVA支援連續調整衰減水準,可以將其設定為給定範圍內的任何值。所有類型的RF衰減器在工作頻率範圍內都應以良好的VSWR提供平坦的衰減性能,而DSA還必須確保無故障操作,以減少狀態轉換期間的訊號失真。7

RF檢波器

基本形式的整合式 RF檢波器 是一個2埠元件,提供與施加於輸入端的RF訊號功率成比例的輸出電壓訊號。與基於二極體的分立檢波器實現相反,整合式RF檢波器提供多種開箱即用的優勢,包括寬廣溫度範圍內的穩定輸出電壓、更容易的元件校準和用於與ADC直接介面的緩衝輸出 9。最常見RF檢波器IC是各類需要測量RF訊號功率幅度的應用中使用的標量檢波器。標量檢波器的主要類型包括RMS功率檢波器、對數檢波器和包絡檢波器。

RMS功率檢波器提供施加於RF輸入的實際訊號功率的精確rms表示。有 線性回應rms檢波器,其rms輸出是線性回應的直流電壓,還有 線性dB回應的對數rms檢波器,實際RF輸入功率每改變1 dB,其輸出電壓也改變相同的量。這兩類rms檢波器非常適合不需要快速回應時間的應用,測量複數調變訊號(其高波峰因數隨時間而變化)的波形無關功率。它們通常用於平均功率監測、發射訊號強度指示(TSSI)、接收訊號強度指示(RSSI)和自動增益控制(AGC)。

對數檢波器(也稱為對數放大器)將輸入RF訊號轉換為精確的對數線性直流輸出電壓。對數檢波器提供非常高的動態工作範圍。這是利用連續壓縮方法實現的,依賴於一系列耦合到檢波器的串聯限幅放大器,其輸出在串聯拓撲結構的輸出級加總。隨著輸入功率增加,連續放大器逐漸進入飽和,從而產生對數函數近似值。對數檢波器非常適合於高動態範圍應用,包括RSSI和RF輸入保護。

連續檢波對數視頻放大器 (SDLVA)是一種特殊類型的對數檢波器,提供平坦的頻率回應和優越的上升/下降與延遲時間,因而是要求超高速性能的應用(包括暫態頻率測量、方向查找接收器和電子智慧應用)的首選解決方案。

包絡檢波器(也稱為峰值檢波器或AM檢波器)提供與RF輸入訊號的暫態幅度成比例的基頻輸出電壓。包絡檢波器IC通常利用快速切換蕭特基二極體實現,因而是需要非常快速回應時間的較低動態範圍應用的理想解決方案。包絡檢波器的典型應用包括PA偏置控制中的效率增強包絡追蹤、PA線性化、快速過大RF功率保護、高解析度脈衝檢測和I/Q調變器的LO洩漏校正。

除了標量檢波器外,還有一種稱為 向量功率測量IC 的整合檢波器。它們提供超出標量功率測量功能的擴展能力10 。向量功率測量檢波器可以測量訊號的多個參數,包括幅度、相位和沿著傳輸路徑的行進方向(前向或反向)。 在無線發射器中的天線調諧、模組化系統中的內建測試和材料分析等應用中,此類元件是線上測量散射參數的理想解決方案。

結論

在RF訊號鏈系列的第二部分中,我們討論了代表典型RF訊號鏈的基本建構模組的一些主要RF IC,並進行了分類。但是,在此概述中,我們僅觸及了各種類型和形式的RF元件的皮毛。越來越複雜的RF系統需要更完整的訊號鏈解決方案,這導致了將多個功能模組整合在同一封裝中或一個晶片上的眾多IC設計的發展。這些元件可以整合混頻器、PLL、VCO、放大器、檢波器和其他元件,以精巧的外形尺寸提供高度先進的功能,並提供更簡單的設計、更低的功耗、更低的成本和更短的開發週期。

ADI提供業界最廣泛的RF積體電路產品組合,涵蓋從DC到超出100 GHz的完整頻譜,適合訊號鏈中幾乎所有的功能模組11 。ADI廣泛的產品矩陣覆蓋放大器、混頻器、濾波器和其他標準IC元件,一直到混合訊號類比前端和系統化封裝(SIP)解決方案—這些均是經過全面測試和驗證的完整子系統。 ADI產品提供一流的性能,可滿足廣泛RF應用——從通訊和工業系統一直到測試測量設備和航空航太系統——的最嚴苛要求。為了支援RF工程師開發這些應用,ADI不僅提供RF IC,同時也提供了完整的生態系統,包括設計工具、快速原型平台、Circuits from the Lab®參考設計、EngineerZone®技術論壇和一流的技術支援。

參考電路

1 Ian Collins and David Mailloux. "Revolution and Evolution in Frequency Synthesis: How PLL/VCO Technology Has Increased Performance, Decreased Size, and Simplified Design Cycle." Analog Devices, Inc., January 2020.

2 Jim Surber and Leo McHugh. "Single-Chip Direct Digital Synthesis vs. the Analog PLL." Analog Dialogue, Vol. 30, No. 3, July 1996.

3 Hittite Microwave Corp. "Active Multipliers and Dividers to Simplify Synthesizers." Microwave Journal, November 2002.

4 Thomas Schiltz, Bill Beckwith, Dong Wang, and Doug Stuetzle. "Passive Mixers Increase Gain and Decrease Noise When Compared to Active Mixers in Downconverter Applications." Analog Devices, Inc., October 2010.

5 David M. Pozar. Microwave Engineering, 4th edition, Wiley, 2011.

6 Abhishek Kapoor and Assaf Toledano. "The Changing Landscape of Frequency Mixing Components." Analog Devices, Inc., September 2016.

7 Bilge Bayrakci. "RF and MW Control Products in Silicon." Analog Devices, Inc., March 2016.

8 Eric Carty, Padraig Fitzgerald, and Padraig McDaid. "The Fundamentals of Analog Devices' Revolutionary MEMS Switch Technology." Analog Devices, Inc., November 2016.

9 Eamon Nash. " Understanding, Operating, and Interfacing to Integrated Diode-Based RF Detectors." Analog Devices, Inc., November 2015.

10 Eamon Nash and Eberhard Brunner. "An Integrated Bidirectional Bridge with Dual RMS Detectors for RF Power and Return-Loss Measurement." Analog Dialogue, Vol. 52, No. 2, May 2018.

11 "RF, Microwave, and Millimeter Wave Products Selection Guide 2020." Analog Devices, Inc., August 2020.