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快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力

2017-07-06 - MILPITAS, CA
  • 加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 7 6 日 – 亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001,该器件以高达 150V 电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,使其能够保持无限期接通。LTC7001 强大的 1Ω 栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和 35ns 传播延迟,非常方便地驱动栅极电容很大的 MOSFET,因此很适合高频开关和静态开关应用。


    LTC7001

     


    快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET
    静态开关驱动器


    LTC7001 用来接收以地为基准的低压数字输入信号,并快速驱动一个漏极电压可能在 0V 至 135V (绝对最大值为 150V) 之间的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7001 在 3.5V 至 15V 的驱动器偏置电源范围内运行,具可调欠压闭锁。当驱动一个 1000pF 负载时,快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。


    LTC7001 采用 MSOP-10 封装,其引线配置为提供高压间隔。该器件有 3 种工作结温级版本,扩展和工业级版本的温度范围为 –40°C 至 125°C,高温汽车级版本则为 –40°C 至 150°C,军用级版本为 –55°C 至 150°C。千片批购价为每片 2.40 美元。如需更多信息,请登录 www.linear.com.cn/product/LTC7001


     

    性能概要:LTC7001


    • 宽 VIN 工作范围:0V 至 135V (150V 绝对最大值)
    • 内部充电泵以实现 100% 占空比能力
    • 1Ω 下拉、2Ω 上拉以实现快速接通和断开时间
    • 快速 35ns 传播延迟
    • 可调接通转换率
    • 5V 至 15V 栅极驱动器电源
    • 可调驱动器电源 VCC 欠压闭锁
    • 可调 VIN 过压闭锁
    • CMOS 兼容输入 

     

    本文给出的报价仅供预算之用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。


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