高效率电源的设计
作者:Brendan Daly 效率是电源设计的关键参数。来自各个方面的压力都迫使新电源的设计者努力提高其效率。本文将讨论对更高的效率的需求,并展示设计一个电源时可采用的针对效率的优化方法。本文还将研究不同的电路拓扑结构,并研究开关损耗和导通损耗的影响。本文主要关注隔离型开关电源。这种结构既适用于DC-DC变换器,也适用于AC-DC变换器。文中也将讨论必须在效率和系统成本之间进行的折中取舍。而一个AC-DC隔离型电源将被用作示例。 原因何在? OEM们也提高了效率方面的指标要求。在系统层次上,客户并不希望由于采用低效率的电源而浪费金钱。高效率的电源,其可靠性往往更高,这对许多客户来说,是一个非常重要的考虑因素。从长期来说,这可以节省成本,因为系统的寿命更长,所需的维修工作量和质量担保方面的成本也可以下降。 随着系统的复杂性和计算能力的提升,客户也提出了更高的功率需求。同时人们也需要更小的外形尺寸。在隔离式电源中,现在的功率密度常常可以达到15W/in3。这就带来了对更小的散热器和元件的需求。因为热耗散是功率变换的直接效应,现在散热可用的空间就更小了。气流也受到了密集排布的元件的阻碍。令情况更为复杂的是,由于功率密度的增加,能量损耗的密度也更为集中。更高的效率就意味着更低的热耗散。提高电源效率正在迅速成为提高功率密度时唯一可行的措施。 多高的效率,才可以算作高效率? 轻负载时的效率 制造商现在则以轻负载时的效率来作为其设计的一个实实在在的卖点,因为这能更好地反映出电源的真实性能。他们与自己的客户合作,将更能反映设计的典型工作条件的指标收入其规范中,而不仅仅考虑极端的情况。CECP、EPA和其他组织,也正在研究关于轻负载条件下的效率的新的法规。新的革新性技术,例如数字化控制,正在被用来改善在全部负载谱范围内的效率。在轻负载条件下,开关损耗占到了主要地位,而在更大的负载下,导通损耗则占了主要部分。后面还将讨论如何减小这些损耗。
变换器的拓扑结构 在功率较低(最高为200W)的低效率设计中,成本是最大的影响因素,反激(Flyback)和正激(Forward)变换器形式更为常见。这些设计的效率较低,因为它们只能在一半的开关周期中完成功率的传递。在开关周期的另一半时间内,变压器需要将其所储存的任何能量都耗散掉(漏电感)。这部分能量就被浪费掉了,总的系统效率被降低。由于开关元件上所承受的电压和电流过大,因此,它们不能用于功率更高的应用。 半桥整流是对正激变换器(以及反激变换器)方法的一种改进,因为它只让开关承受等于DC输入电压的电压应力。而这是在正激变换器上所出现的应力的一半。开关上的更低的电压意味着开关损耗的降低。它具有能循环利用任何漏电感电流(而不是让其在一个缓冲电路中耗散掉)的优点,因此带来了效率的提高。 全桥整流则更进一步,可以开关更大的功率。从效率的角度来看,它是优先采用的方法,因为它最大限度减少了原边的损耗,并最大限度利用了变压器。与半桥结构相比,全桥结构的开关电流仅仅是前者的一半。这也意味着更小的损耗。 导通损耗 使用同步整流而非二极管整流,将能极大地提升效率。同步整流一般采用一个MOSFET开关而不是二极管(如图3中的SR1& SR2)。在关断时,MOSFET可以阻止负向电压,而仅传导正向电流。这意味着它的作用类似于一个传统的二极管,仅让某个方向的电流通过,这实际上构成了电源设计中的一个关键性的安全保护元件。它不需要出现正向压降即可实现导通。相反,开关电流造成的损耗由MOSFET的RDSON来决定。 RDSON的典型值大约为5mW量级。不过,在一个100A的电源中,这会带来5mΩ × 100A= 500mV的电压降,几乎与一个二极管相当。因此,大电流的电源需要将多个MOSFET并联起来,以减少等效的RDSON,从而进一步降低导通损耗。这是具有低输出电压、大输出电流的电源所采用的标准设计方法,也应用于高效率电源设计中。对同步整流开关的时序关系的优化也很关键——否则,就体现不出来同步整流的优点。 开关损耗 但是,随着开关频率的增加,开关的损耗也会上升。开关的损耗是由于开关的非理想因素所造成的(杂散电容和非零的开关时间)。这意味着需要尺寸更大、更为昂贵的开关,使得总体目标难以实现。因此,必须实现某种折中平衡。正是因为这些原因,大多数可买到的隔离型开关电源的开关频率在50kHz~400kHz之间。 开关损耗的减小,可以通过若干种方法实现。在功率晶体管中出现的开关损耗包括导通损耗和关断损耗两部分。导通损耗可以由流过晶体管的寄生电容和电源变压器的原边绕组的电流所造成。关断损耗由晶体管的关断动态过程所决定。开关杂散电容中所储存的能量可以由下式给出:W = 1/2CV2。由于开关两端的电压可以远大于100V,这会造成相当大的损耗。 既然开关损耗的高低直接取决于开关时的电流和电压差,很显然,在开关时保证电流或者电压为零,就可以消除这些损耗。这也就是为何MOSFET成为广泛使用的功率晶体管的原因之一。它们的电流下降时间很短,这意味着MOSFET两端的电压出现显著增加前,电流就几乎下降到零。 ZVS(零电压开关)可以用于改善效率。ZVS控制开关的时序关系,使之在电感电流接近零时关断。当MOSFET开关的时序被控制为与输入波形的过零点同步时,开关损耗将得以降低。ZVS的一个实现方式可如图2所示,即添加电感L2。这也是ZVS成为隔离型电源中的常用方法的一个原因。它可以实现在变压器尺寸和开关损耗方面实现良好的平衡。 谐振变换器拓扑结构也可以提供很高的效率,但这些结构更复杂,因此没能得到广泛地应用。谐振式变换器拓扑可以让开关频率提高到1MHz上。 数字控制器提供了能够充分利用ZVS的能力,因为,与模拟控制器相比,它们对这些波动的补偿要容易得多,而且成本更低。 磁损 绕组材料中的热损耗,也称为I2R损耗,是负载损耗中的最大的一部分。它们由变压器中的导体的寄生电阻所产生。通过采用每单位截面积的电阻很小的材料,可以减小这一电阻,而且不会显著增加变压器的成本。 PFC 敏感电阻或者电流互感器 电阻两端的电压降决定了产品所输送的负载电流的大小。即使一个200mV的电压降也会造成约为系统总输出功率的2%的功率耗散。与电流互感器相比,敏感电阻将更为精确,而且线性度更高,但它们也会带来这种功率上的损失。与敏感电阻法相比,电流互感器产生的损耗极小。这涉及对原边电流的敏感。一个电流互感器被用来输送电流信息,使之跨越隔离到达装有电流分担电路的副边。这一功能电路就是图3中的T2。不过,正如我们已经提到过的那样,电流互感器的精度要低于一个敏感电阻的。 智能电源管理 另外,还可以集成脉冲跨跳模式(pulse skipping),这可以提高轻负载条件下的效率。在轻负载条件下,同步整流确实会降低效率,而数字控制的电源一旦检测出电源处于轻负载工作状态时,会关闭同步整流功能。最新一代的数字化解决方案目前在价格上已经可以与模拟解决方案相比,而在未来将有望实现更大的成本削减。 设计
成本 结论
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